微环谐振器是集成光学中的关键器件,它的实际滤波特性会受到输入光功率的影响,但长期以来,微环谐振器的稳态模型仅包含线性光学作用。考虑微环谐振器反馈波导中的光学非线性引入的损耗和相移,以及微环耦合器中光学非线性引入的耦合比改变等因素,推导了考虑自相位调制、双光子吸收和热光效应的微环谐振器的非线性模型。重点讨论了双光子吸收和光学非线性引入的耦合器耦合比改变对微环谐振器陷波深度的影响,仿真结果表明,在热光效应和自相位调制产生谐振谱线频移的同时,功率相关的耦合器耦合比的改变对微环谐振器陷波深度的影响较大。

针对基于马赫-曾德干涉仪结构的硅基光调制器中非线性电光响应的问题, 采用包含PN结非线性调制损耗和非线性折射率变化的模型, 通过数值仿真方法, 研究了上下两臂对称和不对称两种情况下, 调制损耗对硅基光调制器非线性的影响.对比考虑调制损耗和忽略调制损耗的模型, 发现在常规大信号情况下, 当光调制器偏置相位为0时, 调制损耗使得三次谐波增强, 四次谐波减弱；当光调制器偏置相位为π/2时, 调制损耗使得二次和四次谐波增强；而在小信号情况下, 三次和四次等高次谐波不明显, 在光调制器偏置相位为0时, 调制损耗在光调制器上下两臂不对称情况下增加了基频分量串扰；在光调制器偏置相位为π/2时, 调制损耗的影响主要表现为增加了二次谐波分量.

以氯化铵、 氯化镉、 氢氧化钾和硫脲为反应物采用化学水浴法制备了硫化镉薄膜， 为了作对比研究， 采用射频磁控溅射以硫化镉为靶材， 氩气为溅射气体， 制备了硫化镉薄膜。 采用X射线衍射、 扫描电子显微镜和紫外-可见光光谱仪分别表征了硫化镉薄膜的结构、 形貌和光学吸收特性。 结果表明， 采用以上两种方法制备的硫化镉均具有（002）择优取向， 溅射法制备的硫化镉薄膜较致密， 薄膜表面较光滑， 平均晶粒尺寸在20～30 nm； 水浴法制备的硫化镉薄膜颗粒尺寸较小， 缺陷较多。 除了在短波段溅射所得硫化镉薄膜的透过率略差于水浴法所得硫化镉薄膜之外， 溅射法制备的硫化镉薄膜的性能整体上优于水浴法制备的薄膜。 两种方法制备的硫化镉薄膜的能隙在2.3～2.5 eV。