碳电极具有成本低、印刷方便、可有效隔离水氧等优点，因此有望利用碳电极材料实现低成本、高稳定性的钙钛矿太阳电池。无空穴传输层的传统碳基钙钛矿太阳电池面临着空穴提取率低、电子逆向传输，钙钛矿和碳电极界面的载流子复合等问题。文章引入聚(3己基噻吩)(P3HT)作为器件的空穴传输层，使碳基钙钛矿太阳电池ITO/SnO2/MAPbI3/P3HT/Carbon的光伏性能得到了显著改善：器件的光电转化效率从11.16% 提高到13.37%。在氮气环境下，连续光照1000h，太阳电池的光电转化效率可保持初始值的87%，而传统器件在光照500h后，其光电转化效率已下降至初始值的60%。

有机无机杂化钙钛矿已被证明是优良的光吸收材料, 可用于高效率光伏领域。增大钙钛矿薄膜的晶粒尺寸和对晶界缺陷的钝化是提高太阳电池性能的重要途径。文章报道了一种简单的缺陷钝化技术, 将有机卤化物盐BAI引入钙钛矿的混合阳离子中, 以起到增大晶粒和钝化缺陷的作用, 使钙钛矿太阳电池的光电转换效率从19.46%提升至21.56%。这种效率的提升是在不损失短路电流和填充因子的情况下, 开路电压从1.04V提高到1.11V的结果。这种提升钙钛矿型太阳电池开路电压的方法, 为进一步提高钙钛矿型太阳电池的光电性能提供了新的途径。

采用2,9二甲基4,7二苯基1,10邻二氮杂菲(浴铜灵，缩写：BCP)有机小分子作为钙钛矿薄膜与电子传输层之间的界面修饰层，从而使得反型结构的钙钛矿太阳电池性能得到显著改善。通过扫描电子显微镜研究发现：BCP分子可在钙钛矿薄膜样品表面的晶界间充分填充，推测其抑制了界面缺陷态的产生。进一步研究器件内部界面电荷的累积，并结合交流阻抗谱的分析，证实经BCP钝化的钙钛矿太阳电池中界面电荷的累积减少，光生载流子的复合被抑制，电池的光电转换效率由原来的15.7%提升到了17.4%。

采用恒电位电沉积法在ITO上制备了铜铟镓硒(CIGS)前驱体薄膜, 该前驱体薄膜在充氩气管式炉中经过高温硒化可得到结晶良好的CIGS薄膜。 采用X-射线衍射(XRD)、 拉曼光谱(Raman)、 扫描电子显微镜(SEM)和紫外-可见光-近红外光谱仪分别表征了CIGS薄膜的结构、 形貌、 成分以及可见-近红外光谱(Vis-NIR)吸收特性。 XRD结果表明前驱体薄膜高温硒化后所得的CIGS薄膜具有(112)择优取向, 薄膜中CIGS晶粒的平均尺寸为24.7 nm, Raman光谱表明薄膜中的CIGS是具有黄铜矿结构的四元纯相, 没有其他二元三元杂相存在。 Vis-NIR测量结果表明CIGS的禁带宽度随薄膜中镓含量的增加而增加, 当Ga含量达5.41%时, 通过吸收光谱测得CIGS的禁带宽度为1.11 eV, 通过理论计算得到镓铟比为Ga/(In+Ga)=16.3%, 小于SEM测量所得的镓铟比Ga/(In+Ga)=21.4%, 这表明还需进一步提高CIGS薄膜的结晶度。 所有测量表明优化后的ITO/CIGS非常适合用来制作高质量的双面太阳能电池。 该研究提出了制备低成本CIGS前驱体薄膜及高温硒化的新方法, 通过这些方法在ITO上制备了均匀、 致密、 附着力好的CIGS薄膜。 通过上述表征可知, 在新工艺下制备的CIGS薄膜结晶度高, 成分合理, 无杂相, 光吸收性质好。 与磁控溅射法类似, 电沉积法非常适合大面积工业化生产, 该工作对CIGS的规模化生产具有重要的借鉴意义。

制备了基于新型蓝绿色荧光MQAB与红色磷光Ir( MDQ)2acac的荧磷混合式白色有机电致发光器件,并探讨了TPBI或UGH3两种间隔层及二者的混合间隔层的器件的发光性能.研究发现,采用TPBI和UGH3的混合间隔层可以调控载流子注入与传输的平衡.当m(TPBI):m(UGH3)= 1:1时,可有效地控制发光区域,使得器件性能得到优化,并获得发光亮度高达14 700 cd/m2的白色有机电致发光器件,最高电流效率可达11.60 cd/A,且器件具有较高的色稳定性.采用混合间隔层的器件比单用TPBI或UGH3作为间隔层的器件效率提高了200%～300%.

制备了基于蓝色磷光材料bis［3,5-difluoro-2-(2-pridyl)phenyl-(2-earboxypyribyl)iridumⅢ］(FIrpic)、红色磷光材料bis(2-methyldibenzo［f,h］quinoxaline)(acetylacetonate)iridium (Ⅲ)(Ir(MDQ)2acac)的双波段白光有机电致发光器件。蓝色磷光材料FIrpic被掺杂在一种宽带隙的主体材料1,3-bis(triphenylsilyl)benzene(UGH3)之中, 红色磷光材料Ir(MDQ)2acac被掺杂在主体材料4,4′,4″-tris(carbazol-9-yl)triphenylamine(TCTA)之中, 并在两发光层之间加入一种宽带隙的空穴传输材料1,3-bis(carbazol-9-yl)benzene(mCP)作为中间层。制备的器件结构为ITO/NPB(40 nm)/TCTA∶Ir(MDQ)2acac 7%(10 nm)/mCP(x nm)/UGH3∶Firpic 8% (30 nm)/BPhen (30 nm)/LIF(0.8 nm)/AL(200 nm)。实验结果表明, 中间层的加入促进了发光层中电子和空穴的平衡并抑制了发光层之间的能量转移。加入适当厚度的中间层之后, 器件的性能得到了明显的提升, 相比于无中间层器件, 最高电流效率由3.4 cd/A提高到13.2 cd/A。

从荧光磷光复合结构的有机电致发光器件的研究入手，采用OXD-7作为蓝色荧光发光层，Ir(MDQ)2acac掺杂在母体材料作为红橙磷光发光层，设计制备了双波段白光有机电致发光器件。研究中发现，OXD-7，Alq3 和NPB的三组分协同作用可以导致电致激基复合物的产生，以及由此导致的光谱红移，并使得器件发光效率降低。通过插入TDAF中间层可以有效地抑制激基复合物的产生，同时，通过控制载流子传输的平衡，以及磷光材料的掺杂浓度，可以获得器件发光亮度、效率的提升。

使用全溶液法制备聚合物白光器件, 通过引入修饰层并改变各层薄膜厚度来优化器件性能。针对ITO 阴极功函数较高的问题, 引入功函数较低的蓝光聚芴衍生物: 聚［9,9-二辛基芴-9,9-双(N,N-二甲基胺丙基)芴］(PFN), 有效地降低了阴极的复合功函数。同时PFN也是电子注入材料和发光材料。为降低器件的启动电压, 引入Cs2CO3作为修饰层, 同时也提高了电子传输能力。使用MEH-PPV作为橙红光材料。使用二次溶剂掺杂获得的高导ＰＥＤＯＴ∶ＰＳＳ聚合物并通过滴膜的方法制备阳极取代了传统的金属电极真空镀膜法, 从而使器件制备简单、快捷。最终得到了湿法制作的聚合物白光器件的光谱范围为400～800 nm, 涵盖了整个可见光区域。器件的启亮电压为4 V, 亮度为1 500 cd/m2, 电流效率为0.55 cd/A。

制备并研究了基于3种小分子荧光材料的白光有机电致发光器件。发光层采用红色发光材料DCJTB掺杂绿光材料Alq3构成混合发光层, 与OXD-7构成的蓝色发光层形成异质结的结构, 并以NPB为空穴注入层。通过改变结构参数详细研究了发射光谱及其色坐标的电场依赖性。通过分析载流子注入/传输特性, 控制激子的复合区域等措施得到了色坐标稳定性好、光谱丰富的高性能白光电致发光器件。经过优化的器件结构可以覆盖更大的可见光区域, 当电压从9 V增加到13 V时, 色坐标仅从CIE(x,y)=(0.364, 0.314)偏移到CIE(x,y)=(0.332, 0.291), 具有较好的色稳定性。

以氯化铵、 氯化镉、 氢氧化钾和硫脲为反应物采用化学水浴法制备了硫化镉薄膜， 为了作对比研究， 采用射频磁控溅射以硫化镉为靶材， 氩气为溅射气体， 制备了硫化镉薄膜。 采用X射线衍射、 扫描电子显微镜和紫外-可见光光谱仪分别表征了硫化镉薄膜的结构、 形貌和光学吸收特性。 结果表明， 采用以上两种方法制备的硫化镉均具有（002）择优取向， 溅射法制备的硫化镉薄膜较致密， 薄膜表面较光滑， 平均晶粒尺寸在20～30 nm； 水浴法制备的硫化镉薄膜颗粒尺寸较小， 缺陷较多。 除了在短波段溅射所得硫化镉薄膜的透过率略差于水浴法所得硫化镉薄膜之外， 溅射法制备的硫化镉薄膜的性能整体上优于水浴法制备的薄膜。 两种方法制备的硫化镉薄膜的能隙在2.3～2.5 eV。