光响应液晶聚合物在光化学(如偶氮苯)或者光热(如氧化石墨烯)作用下发生有序-无序转变, 进而产生宏观形变, 是一类被广泛研究的智能材料。目前光驱动液晶聚合物振动器的实现主要有两种途径: 一是紫外或者可见光连续照射时, 偶氮苯液晶聚合物的力学特性发生非线性变化, 驱动器呈现无规振动; 二是通过构筑非平衡系统, 利用驱动器运动过程中的自遮挡效应, 在光源连续照射下自发地产生周期性、连续性运动, 可用于光学信号调制、移动机器人、能量转换、轧机、马达等。本文综述了光驱动液晶聚合物振动器领域的研究进展, 详细介绍了其设计原理、运动机理以及应用领域, 对未来的发展趋势做出了展望。

针对下一代动态光网络, 光纤长度可能根据链路需要随时变化, 以及由于光纤老化造成色散参量变化等因素可能造成链路中的色散值在接收端很难提前预知, 因此要求未来光网络节点中的接收端能够自适应地估计出色散值然后补偿信号。文章在光网络节点的数字相干接收机中提出了一种基于峰均值功率比的色散估计算法, 并在224 Gbit/s偏振复用(PDM)-16正交振幅调制(QAM)和336 Gbit/s PDM-64QAM的多种长距离传输(400、800、1 200、1 600和2 000 km标准单模光纤(SSMF))系统中验证了其可行性及有效性。仿真结果表明, 文章所提算法具有很好的色散估计精度, 色散估计标准差低于100 ps/nm。该算法对偏振模色散(PDM)和偏振相关损耗(PDL)具有较强的容忍性, 例如群速度时延(DGD)低于15 ps及PDL在7 dB以内时, 算法都可实现很好的估计精度。同时该算法对非线性效应也具有较强的容忍性。

为将400 Gbit/s高速率应用于超长站距无中继光传输系统, 首先对400 Gbit/s双偏振-四进制正交幅度调制(DP-16QAM)及400 Gbit/s双偏振-八进制正交幅度调制(DP-64QAM)两种高阶调制码型及其对应的光信噪比(OSNR)要求进行了研究, 然后通过实验研究了两种码型背靠背OSNR的要求及入纤光功率与误码率的关系, 最后搭建了具有前后向拉曼放大器的400 Gbit/s超长距光传输链路, 通过实验测试了两种码型对应的最远单跨传输距离。实验结果表明, 400 Gbit/s DP-16QAM在G.652光纤上利用双向拉曼光放大器最远可以传输286 km, 对于电力长跨距来说基本满足了大部分的应用场合。

采用恒电位电沉积法在ITO上制备了铜铟镓硒(CIGS)前驱体薄膜, 该前驱体薄膜在充氩气管式炉中经过高温硒化可得到结晶良好的CIGS薄膜。 采用X-射线衍射(XRD)、 拉曼光谱(Raman)、 扫描电子显微镜(SEM)和紫外-可见光-近红外光谱仪分别表征了CIGS薄膜的结构、 形貌、 成分以及可见-近红外光谱(Vis-NIR)吸收特性。 XRD结果表明前驱体薄膜高温硒化后所得的CIGS薄膜具有(112)择优取向, 薄膜中CIGS晶粒的平均尺寸为24.7 nm, Raman光谱表明薄膜中的CIGS是具有黄铜矿结构的四元纯相, 没有其他二元三元杂相存在。 Vis-NIR测量结果表明CIGS的禁带宽度随薄膜中镓含量的增加而增加, 当Ga含量达5.41%时, 通过吸收光谱测得CIGS的禁带宽度为1.11 eV, 通过理论计算得到镓铟比为Ga/(In+Ga)=16.3%, 小于SEM测量所得的镓铟比Ga/(In+Ga)=21.4%, 这表明还需进一步提高CIGS薄膜的结晶度。 所有测量表明优化后的ITO/CIGS非常适合用来制作高质量的双面太阳能电池。 该研究提出了制备低成本CIGS前驱体薄膜及高温硒化的新方法, 通过这些方法在ITO上制备了均匀、 致密、 附着力好的CIGS薄膜。 通过上述表征可知, 在新工艺下制备的CIGS薄膜结晶度高, 成分合理, 无杂相, 光吸收性质好。 与磁控溅射法类似, 电沉积法非常适合大面积工业化生产, 该工作对CIGS的规模化生产具有重要的借鉴意义。

以氯化铵、 氯化镉、 氢氧化钾和硫脲为反应物采用化学水浴法制备了硫化镉薄膜， 为了作对比研究， 采用射频磁控溅射以硫化镉为靶材， 氩气为溅射气体， 制备了硫化镉薄膜。 采用X射线衍射、 扫描电子显微镜和紫外-可见光光谱仪分别表征了硫化镉薄膜的结构、 形貌和光学吸收特性。 结果表明， 采用以上两种方法制备的硫化镉均具有（002）择优取向， 溅射法制备的硫化镉薄膜较致密， 薄膜表面较光滑， 平均晶粒尺寸在20～30 nm； 水浴法制备的硫化镉薄膜颗粒尺寸较小， 缺陷较多。 除了在短波段溅射所得硫化镉薄膜的透过率略差于水浴法所得硫化镉薄膜之外， 溅射法制备的硫化镉薄膜的性能整体上优于水浴法制备的薄膜。 两种方法制备的硫化镉薄膜的能隙在2.3～2.5 eV。