1 清华大学 工程物理系, 北京 100084
2 清华大学 粒子技术与辐射成像教育部重点实验室, 北京 100084
借助理论分析和数值模拟,设计了基于高能电子束团的辐射成像系统,并通过Geant4和GPT软件对成像系统的相关参数进行了优化。模拟中分析了影响系统空间分辨率及物质厚度分辨率的因素,结果显示,模拟中设计的成像系统空间分辨率达到μm量级,并且具有一定的厚度分辨能力。该设计指标满足对一定厚度及结构的样品进行成像的要求。
电子成像 角分布 传输矩阵 像差 electron imaging angular distribution transmission matrix optical aberration 强激光与粒子束
2014, 26(11): 114007
文章中设计的四象限InGaAs雪崩光电二极管(Avalanche Photo Diode ，APD)的管芯结构采用正入光式平面型结构，而材料结构采用吸收区、倍增区渐变分离的APD结构，在对响应时间、暗电流和响应度等参数进行计算与分析的基础上，优化了器件结构参数。试验结果表明，其响应时间≤1.5 ns，响应度≥9.5 A/W，暗电流≤40 nA，可靠性设计时使PN结和倍增层均在器件表面以下，可有效抑制器件表面漏电流，提高器件的可靠性。
InGaAs雪崩光电二极管 吸收区倍增区渐变分离-雪崩光电二极管 光谱响应范围 响应度 暗电流 InGaAs APD SAGM-APD spectrum response range responsivity dark current
