钙钛矿太阳能电池材料因其低成本及优异的光电物理性能受到光伏领域的极大青睐。在双源蒸镀法制备钙钛矿光吸收层过程中，钙钛矿薄膜长期面临生长机制不明、结晶质量较差的问题，严重影响钙钛矿薄膜光吸收性质、载流子寿命等重要参量，阻碍了气相沉积钙钛矿太阳能电池器件效率的提升。利用不同大半径有机阳离子设计准二维（2D）钙钛矿材料，在钙钛矿/空穴传输层界面构筑准2D钙钛矿缓冲层模板，调控气相蒸镀钙钛矿的晶体生长过程，获得了垂直生长的柱状钙钛矿晶粒，显著提升了钙钛矿层光吸收性能与载流子寿命，实现了钙钛矿太阳能电池效率从16.21%到19.55%的提升。上述结果为气相蒸镀实现优异光电性能的钙钛矿薄膜及光伏器件提供了有价值的参考。

全无机卤化双钙钛矿是一类具备优异光电特性和稳定性的环境友好型非铅材料。因其在太阳能电池、光电探测器和发光二极管中具有巨大的应用潜力，受到国内外研究人员的青睐。本综述主要围绕全无机卤化双钙钛矿的结构特点和光电特性展开研究，重点对全无机卤化双钙钛矿的制备方法和应用方向进行归纳。最后，进一步总结了全无机卤化双钙钛矿材料目前的科学瓶颈及解决方案，期望对全无机卤化双钙钛矿的材料性能提升和光电器件应用提供有价值的参考。

文章中设计的四象限InGaAs雪崩光电二极管(Avalanche Photo Diode ，APD)的管芯结构采用正入光式平面型结构，而材料结构采用吸收区、倍增区渐变分离的APD结构，在对响应时间、暗电流和响应度等参数进行计算与分析的基础上，优化了器件结构参数。试验结果表明，其响应时间≤1.5 ns，响应度≥9.5 A/W，暗电流≤40 nA，可靠性设计时使PN结和倍增层均在器件表面以下，可有效抑制器件表面漏电流，提高器件的可靠性。