文章中设计的四象限InGaAs雪崩光电二极管(Avalanche Photo Diode ，APD)的管芯结构采用正入光式平面型结构，而材料结构采用吸收区、倍增区渐变分离的APD结构，在对响应时间、暗电流和响应度等参数进行计算与分析的基础上，优化了器件结构参数。试验结果表明，其响应时间≤1.5 ns，响应度≥9.5 A/W，暗电流≤40 nA，可靠性设计时使PN结和倍增层均在器件表面以下，可有效抑制器件表面漏电流，提高器件的可靠性。
InGaAs雪崩光电二极管 吸收区倍增区渐变分离-雪崩光电二极管 光谱响应范围 响应度 暗电流 InGaAs APD SAGM-APD spectrum response range responsivity dark current
