1 南京工业大学 数理科学学院, 江苏 南京 211816
2 浙江农林大学 光机电工程学院, 浙江 杭州 311300
随着信息化时代的高速发展,对微电子器件中光电材料的选择、新功能的开发提出了更高的要求。传统光电器件大多利用半导体材料在光照下电导率增加的正光电导性效应进行功能化设计。近年来,研究发现还存在另一种反常的光电导效应——负光电导(Negative photoconductivity,NPC),即在光照条件下电导率降低,由于其在光电探测、逻辑器件、神经形态器件、低功耗非易失性存储器方面的潜在应用而备受关注。NPC的产生机制一般包括载流子的俘获效应、表面分子的吸附-解吸、表面等离子体极化激元和局域表面等离子体共振、光辐射热效应等。本文详细讨论了不同光电器件中NPC产生的物理机制,分析了材料选择、器件结构设计、能带结构变化对不同异质结器件中NPC效应的影响,概括了光电器件中负光电导效应的实际应用,这为光电器件的性能优化和新型光电器件设计提供了重要参考,为未来异质结光电信息器件实现尺寸更小、光导增益更高、速率更快、功耗更低奠定了科学基础。
负光电导 应用 光电器件 negative photoconductivity application optoelectronic devices
Author Affiliations
Abstract
1 North China Electric Power University and Hebei Key Laboratory of Physics and Energy Technology, Beijing 102206, China
2 School of Integrated Circuits & Beijing National Research on Information Science and Technology (BNRist), Tsinghua University, Beijing 100084, China
Two-dimensional (2D) WSe2 has received increasing attention due to its unique optical properties and bipolar behavior. Several WSe2-based heterojunctions exhibit bidirectional rectification characteristics, but most devices have a lower rectification ratio. In this work, the Bi2O2Se/WSe2 heterojunction prepared by us has a type Ⅱ band alignment, which can vastly suppress the channel current through the interface barrier so that the Bi2O2Se/WSe2 heterojunction device has a large rectification ratio of about 105. Meanwhile, under different gate voltage modulation, the current on/off ratio of the device changes by nearly five orders of magnitude, and the maximum current on/off ratio is expected to be achieved 106. The photocurrent measurement reveals the behavior of recombination and space charge confinement, further verifying the bidirectional rectification behavior of heterojunctions, and it also exhibits excellent performance in light response. In the future, Bi2O2Se/WSe2 heterojunction field-effect transistors have great potential to reduce the volume of integrated circuits as a bidirectional controlled switching device.
Bi2O2Se WSe2 heterojunction bidirectional rectification optoelectronic devices Journal of Semiconductors
2024, 45(1): 012701
全无机卤化双钙钛矿是一类具备优异光电特性和稳定性的环境友好型非铅材料。因其在太阳能电池、光电探测器和发光二极管中具有巨大的应用潜力,受到国内外研究人员的青睐。本综述主要围绕全无机卤化双钙钛矿的结构特点和光电特性展开研究,重点对全无机卤化双钙钛矿的制备方法和应用方向进行归纳。最后,进一步总结了全无机卤化双钙钛矿材料目前的科学瓶颈及解决方案,期望对全无机卤化双钙钛矿的材料性能提升和光电器件应用提供有价值的参考。
全无机卤化双钙钛矿 光电性质 制备工艺 光电器件 All-inorganic halide double perovskites photoelectrical properties preparation process optoelectronic devices
红外与激光工程
2023, 52(2): 20220371
清华大学 电子工程系/北京信息科学与技术国家研究中心, 北京 100084
超宽带光电子芯片是下一代无线通信、先进电子信息装备中光纤传输与信号处理的关键元器件, 芯片中光子、电子、电磁场之间的相互作用是决定芯片性能的核心因素。文章通过介绍超宽带光电探测器芯片、电光调制器芯片等方面的研究进展, 分享课题组在破解上述核心科学问题、提高芯片性能的关键技术方案。
光电子芯片 光探测器 电光调制器 optoelectronic devices photodetectors optical modulators
1 河北大学 化学与环境科学学院, 药物化学与分子诊断教育部重点实验室, 河北省化学生物学重点实验室, 河北 保定 071002
2 河北大学 药学院, 河北 保定 071002
硫纳米点(Sulfur nanodots, 简称S-dots)具有无毒、原料来源丰富、易于溶液加工等优点, 是一种新兴发光纳米材料。与广泛研究的Ⅱ-Ⅵ族半导体量子点、钙钛矿量子点以及碳点相比, S-dots的合成、光学性质及其应用研究尚处于初级阶段, 详细总结S-dots研究的相关进展将极大地推动该材料的基础研究与应用发展。本文综述了S-dots的合成、光学性质表征及其在分析传感、生物成像以及光电器件等领域的应用研究进展, 并对S-dots发展方向与前景进行了展望, 希望能为该领域研究人员提供参考。
硫纳米点 湿法合成 荧光 分析传感 光电器件 sulfur nanodots wet-chemistry synthesis photoluminescence analytical sensing optoelectronic devices
上海大学微电子研究与开发中心, 上海 200444
提出了一种双帧数模融合扫描策略,优化了数字脉宽调制部分。设计了一种硅基有机发光二极管(OLED)微显示器驱动电路,该电路包括像素驱动电路,在帧频为60 Hz、灰度等级为256、分辨率为1920 pixel×3 pixel×1080 pixel的条件下,扫描效率可达99.22%,数据传输频率降低至23.328 MHz。结果表明,该像素驱动电路可有效减少漏电流,保证灰度精度,降低最小电流,并提高硅基OLED微显示器的对比度。
光学器件 光电器件 硅基有机发光二极管微显示器 双帧数模融合扫描策略 像素驱动电路 扫描效率 激光与光电子学进展
2019, 56(9): 092302
21世纪是光的时代,光电子器件及技术快速发展,在我们身边无处不在。对比微电子器件在信息处理上的应用,我们不由得要思考为何要用光电子器件,将光电子器件用在何处,以及如何用光电子器件这几个问题。高速半导体激光器作为光通信系统中具有代表性的器件之一,在光通信和微波光子技术等领域中发挥着越来越重要的作用。系统介绍了高速直接调制激光器的基本概念,高速激光器的应用领域与分类,并讨论高速激光器面临的技术挑战与发展趋势。
光电子器件 高速半导体激光器 发展 趋势 optoelectronic devices directly modulated semiconductor lasers development prospects