李亚钦 1,2刘建平 1,2,*田爱琴 2李方直 1,2[ ... ]杨辉 1,2
作者单位
摘要
1 中国科学技术大学 纳米技术与纳米仿生学院, 合肥 230026
2 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 纳米器件与应用重点实验室, 江苏 苏州 215123
氮化镓(GaN)基近紫外激光器(UVA LD,320~400nm)在紫外固化、3D打印以及医疗等领域具有广泛应用。文章首先概述了GaN基UVA LD的国内外研究现状与关键技术挑战,然后分析了如何从外延生长与结构设计的角度,解决AlGaN的应力调控、高效p型掺杂与量子阱中极化电场的抑制等关键问题,以期为进一步实现高功率、低阈值、长寿命GaN基UVA LD的外延生长提供参考。
近紫外激光器 氮化镓 应力调控 p型掺杂 极化电场 UVA LD GaN stress management ptype doping polarization effect 
半导体光电
2022, 43(3): 451
廖涵 1,2,4佘小娟 1,2陶略 1,2李杨 1,2[ ... ]刘志 1,4
作者单位
摘要
1 中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 上海 200050
2 中国科学院大学, 北京 100049
3 中国科学院大学材料与光电研究中心, 北京 100049
4 上海科技大学物质科学与技术学院, 上海 201210
为了探究二维材料在片上可调有源光学器件领域的应用潜力,通过干法转印将由机械剥离法得到的高品质单层二硒化钼转移到正面涂有150 nm厚聚甲基丙烯酸甲酯的双轴压电陶瓷上,制作出可应力调控发光性质的单层二硒化钼光源.对双轴压电陶瓷施加驱动电压,使电信号转化为应力信号,观察低温下(~5 K)二硒化钼光致发光光谱中本征激子态、带电激子态信号峰随应力变化的规律.结果表明:在应力由拉伸应力转变为压应力并逐渐增大的过程中,本征激子态、带电激子态信号峰分别出现了~3.8 meV、~3.7 meV的波长蓝移.增大压应力、拉伸应力都会导致本征激子态、带电激子态信号峰光强线性降低.同时,与泵浦光圆极化相关的圆偏振度也随应力变化表现出规律性改变.此项研究证明了应力调控与单层二硒化钼光学性质之间的紧密关系,为开发各类基于二维材料的片上可调有源光学器件提供支持.
纳米材料 光电器件 光致发光 二硒化钼 激子 带电激子 压电陶瓷 应力调控 Nanostructured materials Optoelectronic devices Photoluminescence MoSe2 Exciton Charge exciton Piezoelectric ceramic Strain tuning 
光子学报
2020, 49(6): 0616002

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