本文研究了N型掺杂ZnSe/BeTe/ZnSe Ⅱ型量子阱空间间接发光谱的外加电场依赖性。实验结果表明，其发光谱只显示了一个线性偏振度较低的发光峰。这是由于掺杂电子屏蔽了Ⅱ型量子阱中的内秉电场，并使得两个ZnSe阱层具有相同的势。同时该发光谱具有反玻耳兹曼(inverse-Boltzmann)分布，并且线型和线性偏振度在整个栅极电压变化范围内没有显示明显改变。然而，其光谱积分强度却显著地依赖栅极电压的极性变化：在正栅极电压范围内(7~0 V)其光谱积分强度几乎是一个常数，但随着负栅极电压的增加(-1~-7 V)，其光谱积分强度却显著降低。这些行为显示了该样品的空间间接发光谱具有负的带电激子的特征。这个常数的光谱积分强度被解释为掺杂层对外加电场的屏蔽，而这个显著降低的光谱积分强度则被归因于外加电场对掺杂电子的排斥(致使激光激发区域内的电子浓度降低)，从而导致了负带电激子数量的减少。此外，本文也初步探讨了该空间间接带电激子的可能构成模型。

采用化学气相沉积法在氧化硅衬底上合成大面积、高质量的单层MoS2二维材料, 系统表征了材料的光学特性, 并制备出高性能的n型场效应晶体管器件.进一步研究了外加电场对其荧光光谱特性的影响.结果表明：在室温条件下, 单层MoS2的荧光光谱的最强特征峰由A-(带电激子态)、A(本征激子态)两个发光峰构成, 并且二者的特征能量差约为35 meV; 通过调节底栅电压, 测得发光峰随着栅压由负变正表现出明显的峰位红移和强度改变, 且两个子峰的强度随栅压变化表现出相反的变化趋势; 外加电场能够有效改变沟道中的载流子浓度, 进而改变单层MoS2荧光光谱的强度和发光峰形状.为研究二维材料发光特性的物理机制提供了重要依据, 此外这种器件的大规模制备为其应用于光电子学器件与系统提供了可能.