本文研究了N型掺杂ZnSe/BeTe/ZnSe Ⅱ型量子阱空间间接发光谱的外加电场依赖性。实验结果表明，其发光谱只显示了一个线性偏振度较低的发光峰。这是由于掺杂电子屏蔽了Ⅱ型量子阱中的内秉电场，并使得两个ZnSe阱层具有相同的势。同时该发光谱具有反玻耳兹曼(inverse-Boltzmann)分布，并且线型和线性偏振度在整个栅极电压变化范围内没有显示明显改变。然而，其光谱积分强度却显著地依赖栅极电压的极性变化：在正栅极电压范围内(7~0 V)其光谱积分强度几乎是一个常数，但随着负栅极电压的增加(-1~-7 V)，其光谱积分强度却显著降低。这些行为显示了该样品的空间间接发光谱具有负的带电激子的特征。这个常数的光谱积分强度被解释为掺杂层对外加电场的屏蔽，而这个显著降低的光谱积分强度则被归因于外加电场对掺杂电子的排斥(致使激光激发区域内的电子浓度降低)，从而导致了负带电激子数量的减少。此外，本文也初步探讨了该空间间接带电激子的可能构成模型。

定量讨论了可控外加均匀电场对量子环上负电荷激子的能-光谱及其AB振荡的影响. 文中计算光谱的结果与实验值符合很好. 负电荷激子是三个带电粒子的体系, 构成本征函数的基矢数以及哈密顿矩阵元都极大, 数值计算艰浩. 文中提出如何选定基矢组Γ(Ｋｍｉｎ, Ｋｍａｘ)以减少基矢数及保证因基矢组的选择所引起的误差极小的方法. 为验证基矢组Γ(Ｋｍｉｎ, Ｋｍａｘ)的可靠性, 还提出了对构成波函数中基矢Ｋ的比重Ｄ(Ｋ)的分析方法. 并对哈密顿矩阵元〈Ｈ〉中的动能项〈Ｔ〉、 库仑作用项〈Ｖ〉、 外加电场作用项〈Ｅ〉与环半径Ｒ的关系进行了讨论.