通过太赫兹发射光谱研究了400 nm飞秒激光脉冲激发层状MoSe₂所引起的物理效应。太赫兹振幅随泵浦功率、方位角、偏振角的依赖关系表明，太赫兹辐射主要由表面耗尽场诱导的光生电流和二阶非线性极化诱导的移位电流这两种瞬态光电流效应共同引起，并且两种电流的贡献分别为82%和18%。研究结果可为MoSe₂在超快光学领域的发展和应用提供实验支持。

为了探究二维材料在片上可调有源光学器件领域的应用潜力，通过干法转印将由机械剥离法得到的高品质单层二硒化钼转移到正面涂有150 nm厚聚甲基丙烯酸甲酯的双轴压电陶瓷上，制作出可应力调控发光性质的单层二硒化钼光源.对双轴压电陶瓷施加驱动电压，使电信号转化为应力信号，观察低温下（~5 K）二硒化钼光致发光光谱中本征激子态、带电激子态信号峰随应力变化的规律.结果表明：在应力由拉伸应力转变为压应力并逐渐增大的过程中，本征激子态、带电激子态信号峰分别出现了~3.8 meV、~3.7 meV的波长蓝移.增大压应力、拉伸应力都会导致本征激子态、带电激子态信号峰光强线性降低.同时，与泵浦光圆极化相关的圆偏振度也随应力变化表现出规律性改变.此项研究证明了应力调控与单层二硒化钼光学性质之间的紧密关系，为开发各类基于二维材料的片上可调有源光学器件提供支持.

通过阳极氧化法在乙二醇电解液中制备TiO₂纳米管阵列, 以钼酸钠和亚硒酸为原料, 改变原料的浓度配比以及沉积电压, 电化学还原沉积MoSe₂对TiO₂纳米管阵列进行修饰, 以半导体复合的方式提高TiO₂的光电化学性能。采用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)对复合物进行物相、形貌分析, 通过电化学工作站测试复合材料的线性伏安曲线、交流阻抗。结果表明, MoSe₂与TiO₂形成了p-n异质结, 降低了光生电子和空穴的复合以及电荷转移电阻显著降低, 使载流子浓度、光电流密度明显增大。沉积电压为-0.5 V, 2 mmol/L H₂SeO₃沉积30 s, 经过300 ℃热处理的MoSe₂/TiO₂复合材料具有优异的光电化学性能, 在0 V偏压条件下光响应电流密度为1.17 mA/cm ², 是空白样品的3倍, 电荷转移电阻从331.6 Ω/cm ²下降到283.9 Ω/cm ²。当热处理温度为330 ℃时, MoSe₂会发生团聚, 堵塞TiO₂基底, 使得MoSe₂/TiO₂吸光能力减弱, 综合性能变差。