根据二次电子发射的主要物理过程，推导出二次电子发射系数和单位背散射电子产生的内二次电子数与原电子产生的内二次电子数之比、原电子入射能量、参数、最大二次电子发射系数、背散射系数之间的关系式。根据实验结果，给出了2~10 keV比率的表达式。根据推导的关系式，用实验数据分别计算出6种金属的平均参数。发现6种金属的平均参数都近似为一个常数1189(eV)0.5。根据推导的关系式和计算的参数，推导出以背散射系数、原电子入射能量和最大二次电子发射系数为变量的二次电子发射系数通式。用该通式计算出二次电子发射系数,并与相应的实验值进行了比较，最后成功地推导出金属2~10 keV的二次电子发射系数通式。

根据二次电子发射的主要物理过程，推导了内二次电子到达多晶表面并逸出的几率的角度分布、斜射入多晶的高能原电子产生的二次电子的角度分布和由背散射电子产生的二次电子的角度分布。同时，推导了高能原电子轰击多晶产生的二次电子的角度分布公式，该公式表明多晶的二次电子遵循余弦分布，且与原电子的入射角无关。分析结果表明: 在内二次电子最大逸出深度范围内，如果由射入多晶的原电子和背散射电子产生的内二次电子数是常数, 则多晶的二次电子的角度分布遵循余弦分布;如果由射入多晶的原电子和背散射电子产生的内二次电子数越来越少，则多晶的二次电子发射角度分布随出射角减少得比出射角的余弦值更慢；如果由射入多晶的原电子和背散射电子产生的内二次电子越来越多，则多晶的二次电子发射角度分布随出射角减少得比出射角的余弦值更快。

报道了全固态激光器连续抽运高重复率电光调Q Nd∶YVO4激光器的实验和理论分析结果，用BBO晶体作电光调Q元件，在激光二极管（LD）端面抽运Nd∶YVO4激光器中实现了较高重复率的电光调Q输出.实验中在1 kHz重复率下，抽运功率为10 W时，平均功率超过170 mW.对输出功率曲线中的凹陷现象进行了分析，指出了制约激光器的内在诸因素，并用传播圆－变换圆图解分析方法给出了合理的解释.