在利用分子束外延(MBE)技术生长GaSb薄膜材料过程中,利用反射高能电子衍射仪(RHEED)实现了GaSb薄膜制备的实时监控。利用RHEED衍射振荡图样,对衬底表面的脱氧化层和生长过程进行分析和研究,得到了生长参数与衍射图样变化之间的关系,确定了衬底脱氧化层的温度;通过计算生长速率,实现了源温度、束流比和生长温度的优化;利用双晶X射线衍射(XRD)测试技术对GaSb外延薄膜层的表面生长质量进行初步表征和分析,证明了实验生长的薄膜材料基本可满足器件制备的要求,为下一步采用MBE制备量子阱及超晶格结构提供了实验依据。

为了得到X射线条纹相机中CsI光阴极的高能电子份额数据, 通过蒙特卡罗方法建立模型来研究CsI光阴极在X射线照射下的光电发射特性。研究了CsI光阴极厚度为100~1000nm、入射X射线能量为1~30keV时的二次电子(SE)能量分布。模拟结果显示, 入射X射线的能量越高、CsI光阴极的厚度越大, 从CsI光阴极出射的二次电子中高能电子(大于50eV)的份额越高, 在入射X射线能量为30keV、CsI光阴极厚度为1000nm时, 出射电子中的高能电子份额可以达到10.8%。但是当CsI光阴极厚度保持为100nm、而入射X射线能量大于15keV时, 高能电子份额维持在3.4%左右而不再随入射X射线的能量增加而增加。

利用针阴极和水阳极, 在6 mm的空气隙产生了大气压空气辉光放电。 该大气压辉光放电具有明显的负辉区、 正柱区和阳极辉区等明亮的发光区。 通过研究放电的电压电流特性, 发现该放电处于亚辉光放电到正常辉光放电阶段。 由于氮分子第二正带系337.1 nm的光谱强度反映高能电子密度, 对337.1 nm谱线的强度进行了空间分辨测量。 结果发现高能电子在针尖附近密度最大, 而其他区域相差不多。 随电压升高, 高能电子密度减少。 增大限流电阻, 高能电子密度也减少。 氧原子对杀菌消毒具有重要作用, 利用发射光谱法对氧原子谱线强度的空间分布进行了测量, 发现氧原子谱线强度与高能电子的空间分布及其随参数的变化关系一致。

研究了p型InN的光电导效应。利用分子束外延技术(MBE)法生长出高质量的InN薄膜, 在此基础上利用Mg掺杂获得了p-InN。原位反射高能电子衍射(RHEED)表明样品在生长过程中保持二维生长模式, 原子力显微镜(AFM)测试结果显示台阶流的生长模式。实验发现, p型InN的光电导灵敏度随温度的升高而降低。其主要原因是当温度升高时, 光生载流子浓度降低和样品背景浓度升高共同造成的。

采用激光分子束外延(L-MBE)方法，以MgO(100)为基底生长了Fe3O4单晶薄膜,研究了Fe3O4/MgO(100)薄膜外场(温度、磁和激光场)诱导电阻变化特性。X射线衍射(XRD)分析表明Fe3O4薄膜是沿MgO(200)晶面外延生长的单晶薄膜；反射高能电子衍射(RHEED)强度振荡曲线分析表明Fe3O4薄膜表面平整，而且生长模式为2维层状生长；原子力显微镜(AFM)分析表明Fe3O4薄膜表面粗糙度为0.201 nm，说明薄膜表面达到原子级平整度。外场作用下Fe3O4薄膜的电阻测试表明：薄膜样品的电阻在120 K(Verwey转变温度)出现一峰值，略微下降后继续增大, 展现出半导体型的导电特性;在激光作用下，整个测量温度范围内薄膜样品的电阻减小，样品展示出瞬间光电导的特性；从降温曲线可以看出,Verwey转变温度由无激光作用时的120 K上升到有激光作用时的140 K;光致电阻变化率随着温度的降低而增大，这主要是由于激光作用导致电荷有序态的退局域化。

在直线感应加速器束参数测量系统实验的基础上，给出了束参数测量系统的实验布局和特点，分析高能电子辐照对直线感应加速器中测量系统电子器件介电性能的影响和变化规律；进一步探讨电子器件介电性能受高能电子辐照后的抑制措施。针对电磁空间干扰情况，主要通过采用光纤传输控制信号的措施，能很好地传输窄脉冲，信号延时抖动小，达到了高速信号的可靠传输要求，利用紧凑嵌入式方法，提高了抗电磁干扰的能力，这样可以更好保护束参数测量电子器件。