根据二次电子发射的主要物理过程，推导出二次电子发射系数和单位背散射电子产生的内二次电子数与原电子产生的内二次电子数之比、原电子入射能量、参数、最大二次电子发射系数、背散射系数之间的关系式。根据实验结果，给出了2~10 keV比率的表达式。根据推导的关系式，用实验数据分别计算出6种金属的平均参数。发现6种金属的平均参数都近似为一个常数1189(eV)0.5。根据推导的关系式和计算的参数，推导出以背散射系数、原电子入射能量和最大二次电子发射系数为变量的二次电子发射系数通式。用该通式计算出二次电子发射系数,并与相应的实验值进行了比较，最后成功地推导出金属2~10 keV的二次电子发射系数通式。

根据二次电子发射的主要物理过程，推导了内二次电子到达多晶表面并逸出的几率的角度分布、斜射入多晶的高能原电子产生的二次电子的角度分布和由背散射电子产生的二次电子的角度分布。同时，推导了高能原电子轰击多晶产生的二次电子的角度分布公式，该公式表明多晶的二次电子遵循余弦分布，且与原电子的入射角无关。分析结果表明: 在内二次电子最大逸出深度范围内，如果由射入多晶的原电子和背散射电子产生的内二次电子数是常数, 则多晶的二次电子的角度分布遵循余弦分布;如果由射入多晶的原电子和背散射电子产生的内二次电子数越来越少，则多晶的二次电子发射角度分布随出射角减少得比出射角的余弦值更慢；如果由射入多晶的原电子和背散射电子产生的内二次电子越来越多，则多晶的二次电子发射角度分布随出射角减少得比出射角的余弦值更快。

根据原电子的射程与入射能量和能量幂次的关系, 用ESTAR程序分别计算出高能原电子对铝射程的能量幂次约为1.72, 对金射程的能量幂次约为1.62。分别根据高能原电子对铝和金的射程与入射能量的关系, 用实验数据计算出常数其能量幂次, 然后分别推导了高能原电子对铝的射程的表达式和对金的射程的表达式。用推导出的表达式分别计算出一些高能原电子对铝和金的射程计算值, 与现有实验值相符较好。

报道了全固态激光器连续抽运高重复率电光调Q Nd∶YVO4激光器的实验和理论分析结果，用BBO晶体作电光调Q元件，在激光二极管（LD）端面抽运Nd∶YVO4激光器中实现了较高重复率的电光调Q输出.实验中在1 kHz重复率下，抽运功率为10 W时，平均功率超过170 mW.对输出功率曲线中的凹陷现象进行了分析，指出了制约激光器的内在诸因素，并用传播圆－变换圆图解分析方法给出了合理的解释.

根据原电子射程表达式和金属的有效真二次电子发射系数表达式,推导出金属的高能有效真二次电子发射系数与入射能量、能量幂次的关系式;并根据金属的高能有效真二次电子发射系数与金属的高能二次电子发射系数的关系,推导出金属的高能二次电子发射系数与入射能量、能量幂次的关系式。用实验数据计算出高能原电子轰击在金或银上时原电子入射能量幂次n,采用实验数据证实高能二次电子发射系数与原电子入射能量和能量幂次三者的关系,对结果进行讨论并得出结论:当高能原电子轰击在同一块金属上时,高能二次电子发射系数与原电子入射能量的n-1次幂之积近似为一常数。

SiN薄膜因为具有良好的减反射性质和钝化作用, 越来越广泛地应用于晶硅太阳电池的制造工艺中。用等离子体化学气相沉积(PECVD)法, 通过改变流量比、气体总量及基底温度等工艺参数沉积SiN薄膜, 研究了流量比对在多晶硅太阳电池上所沉积的氮化硅薄膜性能的影响。实践表明, NH3/SiH4气体流量比为11.5∶1时电池材料具有最佳的光电性能。

成功研制了测量绝缘体二次电子发射系数的测量装置,该装置主要由栅控电子枪系统、真空系统和电子采集系统组成,测量装置产生的原电子流的能量范围为0.8～60 keV.采用单脉冲电子枪法,测量了原电子能量范围为0.8～45 keV的多晶MgO的二次电子发射系数.测量中,收集极(偏置盒)离材料表面设置为约35 mm,偏置电压设置为 45 V.测量得到:用磁控溅射法制备的MgO的二次电子发射系数最大值约为2.83,处于 2～26范围内,其对应的原电子能量约为980 eV.这表明该装置测量的绝缘体二次电子发射系数是可信的,但用磁控溅射法制备的MgO的二次电子发射系数较低,这可能是制备MgO时引入了过多的杂质在MgO二次电子发射体里面所引起的.

介绍了延长负电子亲和势二次电子发射材料砷化镓的逸出深度的设计,并给出了经过特殊设计的这种砷化镓的能级示意图,然后对通常的砷化镓和经过特殊设计的砷化镓的二次电子发射系数的理论值进行了比较,得出:当原电子入射能量较低(小于10 keV)时,两种砷化镓的二次电子发射系数差值较小;当原电子入射能量较高(大于20 keV)时,经过特殊设计的砷化镓的二次电子发射系数比普通砷化镓的二次电子发射系数大,而且随着原电子入射能量的升高,两种砷化镓的二次电子发射系数差值也在增大.

提出有效真二次电子发射系数的概念,并从理论上论述了高能原电子的能量与金属的有效真二次电子发射系数的关系,然后用实验数据证明了该理论的正确性,最后对结果进行了讨论.得到了如下结论:不同入射能量的高能原电子轰击同一个金属发射体时,它们的有效真二次电子发射系数与高能原电子入射能量之积近似为一个常量,有效真二次电子发射系数与高能原电子入射能量成反比.

利用3DRun程序通过数值模拟计算,对二次发射微波电子枪的束流倍增特性作了研究.用1维模型计算了束流倍增与腔两极间距离以及腔中场强的关系,并详细给出了腔两极间距离为10mm,场强为5.4MV/m时出射电子纵向聚束及能量聚焦过程;利用3DRun程序研究了在高频场及粒子束本身空间电荷场的共同作用下,束流在3维运动过程中的倍增特性,计算了出射束流的发射度.通过计算表明:二次发射微波电子枪可以提供低发射度、高流强的电子束.