构建了基于空气孔型GaN 平板光子晶体(PC)的层状发光二极管(LED)模型。基于平面波展开方法，得到了空气孔型平板光子晶体的能带结构，分析了空气孔半径对禁带宽度的影响，得出最大禁带宽度约为21.5%。设置电偶极子位于GaN 介质层的中心，并在x-y 平面内极化，辐射源采用高斯形脉冲，波长取为450 nm，采用三维的时域有限差分法计算LED 的出光效率，讨论了平板光子晶体的厚度和空气孔的半径对层状LED 的相对出光效率的影响，结果表明：存在最优结构参数值获得最高的相对出光效率，其值约为2。

应用传输矩阵法研究了以三层单负材料组成周期单元的异质结构光子晶体(ABA)M (CDC)N(ABA)M(CDC)N的光子禁带，相比于由两层单负材料构成的光子晶体(AB)M，具有更狭窄 的通带，对结构周期数和入射角同样是不敏感。研究还发现，平均介电常数和平均磁导率均为零的 该异质结构，其能带宽度随晶格常数的增大而逐渐变窄，这一特性可以用来设计单通道滤波器件， 同时由于电磁波有效波矢量为零，利用这一特点可以设计零有效相位延迟滤波器。

应用传输矩阵法研究了以三层单负材料为周期单元对称型一维光子晶体(ABC)M(CBA)M。结果表明，其带隙结构对入射角的敏感程度与光波的偏振性有关，TE波的高频通带会随着入射角的增大向中心频率移动，而TM波的带隙结构对入射角的变化不敏感。研究还发现各介质层厚度的变化对能带结构的影响规律不相同。当保持各介质层厚度比不变，成倍增大各介质层厚度，高、低频通带变窄并向中心频率移动，低频区通带首先消失。当改变各介质层厚度比时，若保持A、C层厚度不变，减小B层厚度，高、低频通带分别向两侧移动同时收缩变窄；若保持B层厚度不变，增、C层厚度，高、低频区通带同样变窄，低频区通带首先消失，带隙同样变宽。最后研究了该光子晶体的零有效相位带隙结构，发现其通带随晶格常数的增大逐渐向中心频率移动同时收缩变窄，这一特性可以用来设计单通道窄带零有效相位延迟滤波器。

利用经典系综模型,研究了正交双色场作用下氢分子非次序双电离中双电离电子的相关特性。结果表明,双电离电子相关动量谱强烈地依赖于正交双色场的相对相位。通过改变正交双色场的相对相位,相关动量可以从反相关模式转变为相关模式。向后分析表明,相关电子动量谱对双色场相对相位的依赖关系起源于碰撞过程中碰撞电子碰撞角和碰撞动量对相对相位的依赖关系。