中山大学 电子与信息工程学院, 广州 510006
目前已有一些在ESD和电磁干扰下存储器行为的表征研究, 但对静态随机存取存储器(SRAM)的连续波抗扰度的频率响应特性的研究很少。文章研究了SRAM在射频电磁干扰下的失效行为与机理。对SRAM芯片进行射频干扰测试发现, SRAM失效行为与其工作模式相关。使用Hspice进行晶体管级仿真。结果表明, SRAM处于数据保持时, 抗扰能力很强, 处于读写模式时, 抗扰能力较弱。进一步研究失效机理发现, 电源端干扰会导致路径延时的漂移和抖动, 造成SRAM读写失效。该研究可为存储器或系统级芯片的可靠性设计提供指导。
静态随机存取存储器 电磁干扰 失效机理 SRAM EMI failure mechanism
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研究了一种Xilinx 公司FPGA芯片XC7A200T-2FBG676在射频干扰下的失效机理。通过对该FPGA内核供电引脚注入射频干扰发现，某些频率下，随着干扰强度的增大，FPGA会依次出现三种不同类型的失效，分别为该FPGA的内核失效、I/O失效和配置失效。测试分析和HSPICE仿真表明，内核失效是由于BRAM的逻辑层抗扰性差所致，I/O失效是由于射频干扰下输入/输出信号的同时失真所致，配置失效则是由于配置系统读取错误的配置使能信号所致。研究可为该FPGA芯片或者系统电磁兼容设计以及该FPGA抗扰性检测方案的制定提供指导。
射频干扰 FPGA内核 FPGA失效 FPGA FPGA radio-frequency interference FPGA core FPGA failure 强激光与粒子束
2019, 31(9): 093201
