中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄 050051
从空间分辨率的定义出发,指出物镜的数值孔径和光的波长是决定光学仪器空间分辨率的主要因素。给出了空间分辨率影响半导体器件结温检测结果准确度的原理。对GaN HEMT进行了不同空间分辨率下的显微红外温度检测,较低空间分辨率下的测温结果低于高空间分辨率下的测温结果,证明空间分辨率的不足会导致温度测量结果偏低。
空间分辨率 数值孔径 温度检测 半导体器件 spatial resolution numerical aperture thermal measurement semiconductor device
中国电子科技集团公司第十三研究所,河北 石家庄 050051
为了有效实现对微波功率器件的热特性分析,在瞬态红外设备基础上开发了一套用于获取微波功率器件降温曲线的测量系统。分析了瞬态红外设备的原理,并根据降温曲线测量的需要对设备进行改造,开发了数据采集和处理系统,扩展了原有设备的功能,重新设计了测温流程、数据处理算法和相应的软件系统,实现了对GaN HEMT器件不同工作条件下降温曲线的测量。测量的降温曲线满足现有国际标准JESD51系列的要求,在器件热特性分析方面具有较好的应用前景。
红外测温技术 降温曲线 电学法 infrared thermal measurement technique cooling curve electrical method
中国电子科技集团公司 第十三研究所， 河北 石家庄 050051
为了使红外热像仪能够准确测量微电子器件中微米级发热结构的温度， 并克服由热胀冷缩引起的器件形变问题，提出了一种单温度发射率测量方法。分析了在用传 统的双温度发射率测量方法对微电子器件进行红外检测时热胀冷缩对检测结果的影响。在温度变换过程 中，器件的形变效应会严重影响温度测量结果。提出了一种针对微电子器件显微红外测试 的单温度发射率测量方法。该方法只需将被测件保持在一个固定温度下即可对发射率进行测 量。理论分析结果表明，该方法与双温度法在最终的测量结果上是等效的。单温度发射率测量 方法可以有效避免微电子器件的形变影响，因而可保证温度测量结果的准确性和可靠性。
微电子 显微红外测温 发射率 单温度 micro-electronic infrared temperature test emissivity single temperature
