1 北京师范大学,射线束技术与材料改性教育部重点实验室,北京,100875
2 北京师范大学,低能核物理研究所,北京,100875
3 北京市辐射中心,北京,100875
对于10个周期的AlAs/GaAs超晶格和25个周期的GaAs/Ga0.92In0.08As超晶格,在室温下进行0.28 MeV的Zn+注入,注入剂量为5×1013～5×1014 cm-2.通过拉曼光谱测量,定量地分析了由于离子注入所引起的晶格内应变.实验结果表明:在所选用的注入剂量下,由于离子注入引起的应变小于体材料GaAs的最大非驰豫应变值0.038,说明该注入条件下,注入区的结晶态仍然保持得比较好.在较高注入剂量下应变达到饱和,说明缺陷的产生和复合达到了平衡,从而形成了均衡的应变场分布.
离子注入 超晶格 晶格应变 拉曼光谱 GaAs
