1 微光夜视技术重点实验室， 陕西 西安 710065
2 北方夜视技术股份有限公司， 云南 昆明 650114
测量了透射式 GaAs光电阴极四层、二层结构组件和三代像增强器光电阴极的荧光谱。激发光的波长分别为 514.5 nm和 785 nm。测量结果表明， GaAs外延层荧光谱的峰值波长较 GaAs衬底荧光峰值波长长。当 GaAs阴极四层结构组件变为二层结构组件时，GaAs发射层的荧光谱峰值波长向长波方向移动。将 GaAs阴极二层结构组件减薄激活之后，GaAs阴极发射层的荧光谱峰值波长向短波方向移动。三代像增强器 GaAs阴极组件在制作过程中荧光谱峰值波长变化的原因主要是 GaAs发射层内部晶格存在应变，因此当四层 GaAs阴极组件变为二层 GaAs阴极组件之后，由于 GaAs发射层内部晶格应变状态的变化，致使荧光谱的峰值波长向长波方向移动。当二层 GaAs阴极组件经过减薄、热清洗和激活之后，由于 GaAs发射层内部应力的释放，应变在一定程度上得到消除，因此 GaAs发射层的荧光谱峰值波长又向短波方向移动。通常情况下，GaAs材料的荧光谱是一条高斯型的曲线，但对三代管 GaAs阴极组件而言，当 GaAs发射层中存在不均匀的晶格应变时，其荧光谱曲线在峰值附近会出现不规则的形状，而当不均匀的晶格应变消除后，荧光谱曲线会恢复到正常的形状。所以 GaAs发射层中存在的应变会通过荧光谱反映出来，这样在 GaAs光电阴极的制作过程中，除了通过测量积分光荧光来评价 GaAs光电阴极的制作过程之外，还可以通过测量 GaAs光电阴极荧光谱的峰值波长变化来监控 GaAs光电阴极的制作过程。
像增强器 GaAs光电阴极 荧光谱 晶格应变 应力 image intensifier GaAs photocathode fluorescence spectrum lattice strain stress
1 北京师范大学,射线束技术与材料改性教育部重点实验室,北京,100875
2 北京师范大学,低能核物理研究所,北京,100875
3 北京市辐射中心,北京,100875
对于10个周期的AlAs/GaAs超晶格和25个周期的GaAs/Ga0.92In0.08As超晶格,在室温下进行0.28 MeV的Zn+注入,注入剂量为5×1013～5×1014 cm-2.通过拉曼光谱测量,定量地分析了由于离子注入所引起的晶格内应变.实验结果表明:在所选用的注入剂量下,由于离子注入引起的应变小于体材料GaAs的最大非驰豫应变值0.038,说明该注入条件下,注入区的结晶态仍然保持得比较好.在较高注入剂量下应变达到饱和,说明缺陷的产生和复合达到了平衡,从而形成了均衡的应变场分布.
离子注入 超晶格 晶格应变 拉曼光谱 GaAs
