合成了尺寸均匀、分散性好, 且吸收峰在近红外光谱区的硫化铅(PbS)量子点(QDs), 并将其作为红外光吸收源与易于成膜且电学性能优良的有机化合物并五苯(Pentacene)相结合, 形成量子点/并五苯复合薄膜作为有源层, 采用顶栅底接触型水平场效应晶体管(FET)结构制备了红外光电探测器Au(S,D)/PbS QDs/Pentacene/PMMA/Al(G)。测试了暗态和980 nm波长激光照射下器件的电学参数和探测参数; 探究了器件中载流子的传输机制; 得到了电学和探测性能优良的PbS量子点/并五苯复合薄膜FET红外光电探测器, 在辐照度为0.1 mW/cm2的红外激光照射下, 器件的响应度达到49.4 mA/W, 对应探测率为1.7×1011 Jones。

为提高光纤传感器磁场检测中的敏感度,进一步实现弱磁场环境中的高精度场强勘测,提出一种基于磁流包覆与冷却拉锥透射式全光纤高灵敏磁场传感器,拉锥过程采用间歇式停顿冷却技术,可更加便捷获得高质量干涉谱,减缓光子晶体光纤空气孔塌缩,制作工艺简单,具有可操纵性强、灵敏度高、损耗小等优势,实现了高灵敏磁场环境实时在线检测,并对传感器的变温影响进行了讨论。实验结果表明,光子晶体光纤的拉锥长度为5.5 mm、腰椎直径为75 μm时,可得到良好的干涉光谱,在0~78 Oe(1 Oe =^79.578 A·m -1)磁场范围内,灵敏度达95 pm/Oe,线性拟合度为98.31%。

黑画面的漏光是高级超维场开关显示模式(Advanced-Super Dimensional Switching, ADS)TFT-LCD中常见的一种不良, 当液晶面板有形变或应力作用即容易发生漏光不良, 窄长型ADS车载产品更容易受力形变。本文探讨漏光发生的机理并进行改善。研究发现, 面板由于形变, 内应力, 液晶偏转发生异常, 最终导致黑画面的漏光。本文以312.4 mm(12.3 in)寸窄长型车载ADS产品为例, 首先对平坦度进行分析: 从面板平坦度、背光源平坦度、背光源口子胶位置等方面分析。再从应力着手: 从模组将集成电路压接在玻璃基板上的工艺 (Chip on Glass,COG)、面板和背光源的组装精度进行漏光实验。实验结果表明, 在面板平坦度提升、背光源平坦度管控、背光源口子胶设计为半口子胶并由长边固定变更为短边固定, COG绑定温度和压力进行实验设计、组装精度提升等方面改善后, 黑画面漏光可从15%降低至0.1%以内。