激光二极管(LDs)结合荧光转换材料实现白光被认为是下一代照明光源，其中的荧光转换材料对于整体光源的光度/色度参数、发光效率、长期工作稳定性至关重要。近年来，人们在LD照明中采用多种绿/黄/红荧光材料来丰富光谱成分，获得高质量的白光。其中，采用Lu3Al5O12∶Ce3+ (LuAG∶Ce3+)绿色荧光材料作为主体成分，结合光谱展宽、红光补足等方案可将LD照明白光的显色指数大幅度提升。LuAG∶Ce3+被认为是综合性能最优的绿色转换材料之一，在大功率LD的辐照下具有很高的热稳定性和饱和阈值。本文主要对基于LuAG∶Ce3+的荧光晶体、荧光陶瓷、荧光玻璃、荧光薄膜等形态材料的制备方法及其在LD照明中的应用性能研究进行了总结，并且对其未来发展方向提出了展望。

由于优异的光学和机械性能，Y2O3-MgO复相纳米陶瓷被认为是红外透明陶瓷的重要候选材料。尽管如此，在近红外和中红外波段严重的光散射和不必要的吸收方面仍然存在巨大的挑战，这阻碍了该材料在极端恶劣环境中的应用。在目前的工作中，先通过尿素沉淀法制备了Y2O3-MgO核壳结构纳米粉体，然后在放电等离子体烧结下制备了Y2O3-MgO复相纳米陶瓷。通过热重和差示扫描量热法(TG/DSC)、X射线衍射和扫描电子显微镜分析了核壳结构纳米粉及复相纳米陶瓷。Y2O3-MgO核壳结构纳米粉体的尺寸约为250 nm，并且制备的陶瓷的平均晶粒尺寸约为360 nm。透过率在6 μm处为57%，维氏硬度为820 HV。粉末合成方法为复相纳米陶瓷提供了一种新颖的解决方案，可以轻松调节粒径和不同组分的比例。

基于激光二极管（Laser diode,LD)的照明和显示技术代表了半导体行业未来的重要发展方向之一, 荧光转换材料是决定激光照明的能量效率和显示产品色彩品质的核心部件。黄色荧光转换材料Y3Al5O12∶Ce3+ (YAG∶Ce3+)适合蓝光LD激发、效率高、易于获得白光, 仍然是目前最为广泛的研究对象。传统荧光粉加有机硅胶的封装模式热导率低, LD激发下存在烧蚀、发黑、失效等问题。LD高功率激发密度的特点引发了荧光材料封装技术革命性变革。为此, 多形态、高热导率的远程荧光体应运而生。本综述主要对基于YAG∶Ce3+荧光玻璃、荧光薄膜、荧光晶体、荧光陶瓷等不同形态材料的制备方法及其在LD照明应用中的性能研究进行了总结, 对荧光转换材料和LD照明的发展进行了展望。

SnSe晶体是一种新型低成本环境友好型热电半导体材料，近几年已成为国内外研究的热点。为了获得SnSe晶体，目前国际上主要采用垂直布里奇曼法和垂直梯度凝固法两种技术进行生长。然而该材料因具有独特的层状结构和复杂热膨胀特征，其在晶体生长过程中极易发生解理开裂，导致难以获得大尺寸晶体。为了解决高完整SnSe晶体制备难题，本团队在材料体系相图及热重分析指导下，近年来先后开发出了气相法、水平熔体法以及水平液封法等多种晶体制备技术，均成功获得了较大尺寸的SnSe晶体材料。本论文从工艺原理、技术要点、晶体生长结果等多方面对相关技术创新情况予以介绍，并将它们的优缺点进行了对比。综合评价认为水平液封法在获取高完整SnSe晶体及性能调控方面具有显著优势，未来将逐渐成为一种广受欢迎的技术。

与传统相衬成像方法相比,基于傅里叶变换的X射线单光栅相衬成像技术具有辐射剂量低、成像速度快等优势,在材料、医疗等领域具有广阔的应用前景。物体频谱信息的获取是利用该技术恢复相位的关键步骤,但其提取过程容易受到莫尔伪影的影响而导致成像质量下降,限制了该方法的发展应用。针对上述问题,基于莫尔伪影的理论分析和成像系统的结构特征,提出了旋转光栅和调节光栅投影频率两种方案来消除伪影,并在实验上成功验证了它们的可行性,为X射线单光栅相衬成像的推广应用提供了参考。

本文基于ICP 方法对长波HgCdTe 材料表面进行了氢化处理，首次在同一焦平面器件上实现了氢化工艺效果的对比。利用原子力显微镜（AFM）、低温探针台系统和焦平面测试系统对HgCdTe 材料表面微观形貌及相关器件的电学特性进行了表征分析，结果表明：对长波HgCdTe 材料表面进行氢化处理能有效降低MIS 器件的界面态、改善二极管器件性能，同时能够增大焦平面器件的信号响应度、减小盲元率。该研究对改善长波HgCdTe/钝化层的界面态以及提高长波HgCdTe 器件性能提供了依据。

碲镉汞( Hg1-xCdxTe)红外器件的制备过程中, 表面钝化工艺对于器件性能具有很大影响。通过实验, 研究了溅射功率、靶基距、基片摆动角度等工艺参数对碲镉汞衬底上制备的 CdTe/ZnS复合钝化膜层质量的影响。实验结果表明, 当 CdTe与 ZnS溅射靶功率分布为 140 W与 350 W, 靶基距为 40cm, 基片摆动角度为 ±30°时, 中心 2英寸区域膜层非均匀性达到±3%以内, 同时钝化膜层表面粗糙度与附着能力获得了较大改善。