通过设计包括不同Al含量的单层p-AlGaN电子阻挡层与10对p-AlGaN/GaN超晶格电子阻挡层的三种紫光LED结构,利用APSYS软件理论模拟研究了400 nm紫光LED的光电性能,并着重研究了电子阻挡层结构对紫光LED的光电性能的影响。APSYS软件的模拟结果显示,10对p-AlGaN/GaN超晶格电子阻挡层对光输出功率(LOP)的提升优于单层p型AlGaN电子阻挡层。为验证理论模拟结果,使用MOCVD系统制备了三种紫光LED外延片,并将外延片加工成紫光芯片,分析了不同电子阻挡层对紫光LED光电性能的影响。实验的光电测试结果显示,带有10对p-AlGaN/GaN超晶格电子阻挡层的400 nm紫光LED发光效率高于另外两种紫光LED,在输入20 mA电流条件下,其光输出功率为21 mW,具有商用价值。

利用计算机控制振镜进行光束扫描, 用锁相放大器进行增益调制与相位调节, 最后再用计算机重建图像, 实现钛宝石和红宝石的相位成像。 分别完成了激发光和荧光相移为π/12、 π/4和7π/12的成像, 分析了系统的时间分辨率和空间分辨率, 提出了实用化发展的方向。

利用液晶调制器和CCD探头组成的荧光相位成像系统，实现了不同荧光寿命物体的荧光成像，时间分辨率达到了亚毫秒量级。并对结果进行了讨论。

以小型溴化亚铜蒸气激光器建立了远距离激光选通投影系统,实现了对远距离目标的激光选通投影成像,并获得了满意的图像清晰度与信噪比,并分析了该投影系统的典型特征.

用激光原理和晶体光学原理分析了腔内加旋光晶体的激光器输出光的偏振特性。实验和分析表明：激光器输出两束不同频率的垂直线偏振光；激光器两端输出光的偏振面有一夹角α，且此夹角与晶轴和传光方向的夹角θ有关。理论计算结果与在双折射双频激光器的实验结果符合很好。

用激光原理和晶体光学原理分析了腔内加旋光晶体时输出光的频差特性。分析表明：当晶片旋转时,理论计算的频差永远小于由晶体两本征模通过晶片位相差所决定的频差,有一特殊因子G2起作用。G2的物理意义是激光本征模在晶体两本征模上的投影比的平方。这表明一个激光本征模在通过晶体时是部分以快模形式,部分以慢模形式,实际位相延迟介于两者之间。由于两者都介于快模和慢模之间,因而实际频差小于由快模和慢模决定的频差。理论计算同实验符合得很好。从而解决了这一多年没有解决的问题。