电子科技大学 光电信息学院, 电子薄膜与集成器件国家重点实验室, 成都 610054
采用水热法制备了1维ZnO纳米线，并通过改变ZnO纳米线的取向(横向和竖直)和不同的P型半导体材料，制备了不同的有机-ZnO纳米线混合光电二极管。通过改变光照与非光照的条件下并在光照条件下改变光电二极管与光源的距离，对所制备的光电二极管的相关特性进行研究。结果表明：采用水热技术能够制备高质量的ZnO纳米线；当光电二极管两端通正向电压时，光照时的电流大于非光照时的电流，当通反向电压时，结果则相反；同时，光电流还与光照强度有关，光照强度越大，光电流越大。
水热法 ZnO纳米线 P型半导体 光电二极管 hydrothermal technique ZnO nanowires p-type semiconductor photodiode
介绍了一款全彩无源OLED模块的驱动接口电路及驱动程序的设计。系统采用ARM7系列的LPC2138为控制核心，分别设计了电源电路、下载电路、复位电路和接口电路，并向全彩无源OLED模块提供数据信号和控制信号，从而实现了分辨力为128×128，65×103色的动态全彩图片显示。设计了基于ARM7内核的OLED驱动电路实验系统，可显示红、绿、蓝单色以及全彩图片，为中小尺寸OLED提供了一种低成本、低功耗的单芯片解决方案。
全彩OLED显示 接口电路 驱动软件 full-color OLED display ARM7 ARM7 LPC2138 LPC2138 interface circuit driving program
本文利用Altera公司的FPGA (Filed programmable gate array )作为主处理芯片，设计并实现了基于OLED (Organic light emitting diode)屏的视频处理系统。该系统主要包括视频图像的采集、处理与显示三个部分，能够接收与ITU656标准兼容的YUV4: 2: 2格式的视频数据，输出24位并行RGB格式的视频图像，实现分辨率为480X272的OLED屏的视频显示。其中，对于 视频数据的高速存储是采用的乒乓缓存技术。整个系统用Verilog HDL编写实现系统各功能模块，获得了较好的显示效果。
现场可编程门阵列 视频处理 有机发光二极管 FPGA video processing OLED
采用平面结构式OLED 实现彩色，制作了分辨力为128×160 的1.9″全彩无源OLED 屏，OLED 全彩像素的尺寸为240 μm×240 μm，子像素尺寸为190 μm×45 μm。显示系统通过DVI 接口可将微机输出的18 位灰度数据传送到驱动电路，从而实现262 k 种颜色。当屏的平均工作亮度为40 cd/m2 时，由于采用了双屏驱动技术，OLED屏的寿命预计超过5 000 h，器件的功耗约为300 mW。
有机发光二极管 全彩像素 驱动电路 OLED full color driving circuit DVI DVI
电子科技大学 光电信息学院，四川 成都 610054
设计并实现了一种基于FPGA 的视频显示系统，包括视频图像采集、处理和显示3个部分。视频图像采集部分能够接收与ITU-R BT.656标准兼容的YCrCb 4∶2∶2视频数据流，视频图像处理部分利用乒乓缓存技术实现了视频图像数据的高速缓存，视频图像显示部分能够输出标准VGA格式的视频图像。采用Altera的Cyclone Ⅱ EP2C70作为主要处理芯片，各个功能模块均用Verilog HDL实现，获得了较好的图像采集和显示效果。
视频处理 FPGA FPGA video processing YCrCb YCrCb VGA VGA
以ARM7芯片LPC2138为微控制器,设计了基于间接控制接口技术的全彩OLED驱动控制电路。LPC2138通过向驱动控制器SSD1355U4提供数据信号和控制信号,从而实现全彩无源OLED屏的65 k色显示,分辨率为128×128。文章主要从硬件接口设计以及驱动程序两方面详细介绍了如何实现OLED屏全彩图片显示。
有机电致发光二极管 接口电路 OLED LPC2138 LPC2138 SSD1355U4 SSD1355U4 interface circuit
根据有机电致发光显示器件(OLED)的特性,以Philips单片机P89C51RD2为核心,集成了OLED驱动控制器SSD1338U2和外围电路,设计了一种OLED驱动控制电路。从系统硬件接口设计以及系统软件流程等方面介绍了该OLED驱动电路,结合硬件接口原理图,实现了分辨率为128×128、65 k色的全彩色图片显示。
有机电致发光显示器件 驱动电路 OLED SSD1338U2 SSD1338U2 P89C51RD2 P89C51RD2 driving circuit
电子科技大学光电信息学院， 四川 成都 610054
在分析了现有各种去隔行算法的基础上，提出了一种新型的运动自适应去隔行算法。该算法通过对传统运动检测算法的改进，提高了运动检测的精度，降低了误判的概率，可高效地区分图像的静止和运动部分，然后采用不同的算法进行去隔行，同时对运动部分采用的插值算法进行了改进，新的插值算法综合了帧内行平均算法和边缘算法的优点，插值效果有很大改善，最后给出了FPGA实现原理。实验结果表明，本文算法无论对运动图像还是对静止图像都具有很好的去隔行效果，在一定程度上弥补了传统去隔行算法边缘不够平滑，出现锯齿，细节模糊，甚至有断点、虚像等缺点。同时，算法也很好地实现了显示品质和硬件成本之间的平衡，适合应用于中端视频产品及在FPGA设计中的应用。
运动自适应 运动检测 去隔行 现场可编程门阵列 motion-adaptive motion-detector de-interlace FPGA
电子科技大学 光电信息学院, 四川 成都610054
对OLED器件施加扫描电压时，器件的瞬态电压-电流特性表现出滞后现象。并且随着扫描电压的方向、扫描速度的不同，器件瞬态电压-电流曲线也不相同。使用具有ITO/CuPc/NPD/Alq3/LiF/Al结构的OLED器件做电压扫描测试，并尝试用p型深受主型陷阱能级的存在，以及深能级较长的充放电时间特性对OLED器件中载流子输运过程的影响来定性解释上述滞后现象，获得了比较满意的结果，为器件性能的进一步优化找到了方向。
有机电致发光 电压-电流特性 p型深受主能级 前向扫描 OLED voltage-current characteristic p-type deep accepter-like trap forward sweep
介绍了小分子OLED器件的基本结构和制作设备,制作了两种Alq3基的小分子OLED器件.器件的结构分别为ITO/NPB(400(A))/Alq3(300(A))/Al和ITO/NPB(400(A))/Alq3(300(A))/LiF/Al,讨论了Al阴极中有无LiF对器件性能的影响,包括开启电压以及电流密度等参数.
制作工艺 开启电压 OLED Alq3
