由于硅通孔互连(Through Silicon Via,TSV)三维封装内部缺陷深藏于器件及封装内部,采用常规方法很难检测。然而TSV三维封装缺陷在热-电激励的情况下可表现出规则性的外在特征,因此可以通过识别这些外在特征达到对TSV三维封装内部缺陷进行检测的目的。文章利用理论与有限元仿真相结合,对比了正常TSV与典型缺陷TSV的温度分布,发现了可供缺陷识别的显著差异。分析结果表明,在三种典型缺陷中,含缝隙TSV与正常TSV温度分布差异最小; 其次为底部空洞TSV,差异最大的为填充缺失TSV。由此可知,通过检测热-电耦合激励下的TSV封装外部温度特征,可实现TSV三维封装互连结构内部缺陷诊断与定位。
有限元仿真 缺陷检测 温度云图 TSV TSV finite element simulation defect detection temperature cloud map
1 长春理工大学光电测控与光信息传输技术教育部重点实验室, 吉林 长春 130022
2 中国科学院重庆绿色智能技术研究院集成光电中心, 重庆 400714
提出了一种光刻机照度均匀度多点测量方法,该方法利用紫外增强PIN光电二极管,同时快速测量曝光机照面多点的光强,通过在传统电流-电压放大电路的基础上进行改进,同时使用复合放大的方法,大大提高了曝光机照度均匀度多点测量方法的重复性,使每一测量单点测量重复性控制在0.02 mW/cm
2。利用紫外增强PIN光电二极管光刻机光源进行实验,结果表明,多点测量一致性小于0.1 mW/cm
2,且检测的照度均匀性符合要求。
测量 照度均匀度 多点测量 光刻技术 光刻机 实时检测 激光与光电子学进展
2018, 55(6): 061203
重庆绿色智能技术研究院 集成光电技术中心, 重庆 300417
为了弱化或消除LED失效对均匀性的影响, 提出了一种基于复眼透镜的匀化光斑整体累加方案.该方案先对单颗LED进行匀化设计, 再通过LED位置误差研究推广至LED阵列, 实现每颗LED在曝光面上均能产生相同大小的匀化光斑.然后利用软件进行仿真, 设计了一款曝光光源, 并搭建了相应实验平台.该光源最大辐照度值为18.2 mW/cm2, 均匀性为86.9%, 完全满足实际曝光指标.在此基础采用遮挡光源的方式模拟不同位置的LED失效, 进行了辐照度均匀性实验.结果表明, 少量LED失效对辐照度均匀性的影响在1%以内, 甚至LED阵列接近一半失效时均匀性仅下降5%.该设计方案可长期维持辐照度均匀性, 更适用于实际生产.
紫外LED 失效安全 光学设计 匀光照明 曝光 UV-LED Fail-safe Optical design Uniform illumination Exposure
1 中国科学院重庆绿色智能技术研究院 集成光电技术研究中心, 重庆 400714
2 中国科学院上海技术物理研究所 红外探测与成像技术重点实验室, 上海 200083
基于精确的LED光源近场模型, 提出了一种LED光学扩展量测量方法.通过追迹LED近场光源模型中的光线数据, 可获得LED光功率关于光学扩展量的关系曲线, 直观反映出LED光源的光学扩展量特性和光能利用率等信息.以紫外曝光系统中的UV-LED阵列面光源为例, 对三款不同型号的UV-LED进行了实际测量.通过测量得到的光学扩展量和光能利用率曲线, 可以对UV-LED的光束质量作出判断, 并为阵列面光源的优化设计提供帮助.
非成像光学 光学扩展量 光源近场 发光二极管 光学设计 Non-imaging optics Etendue Light source near-field Light-emitting diode Optical design
重庆大学光电学院 光电技术及系统教育部重点实验室, 重庆 400044
对于有一定尺寸的面光源，在满足远场条件下，对其空间光强分布进行测量是保证照明设计中配光效果准确性的前提。根据发光面的实际组成情况，将面光源分为连续型和离散型两类进行光学建模分析，并针对最常见的平面和曲面光源，分别计算了圆形、矩形、环形、半球面和半柱面所对应的远场距离。结果表明，面光源的远场距离与发光面的形状关系密切，传统的5倍定律仅适用于连续型的圆形和矩形面光源，且在同等形状及尺寸下，连续型面光源的远场距离通常比离散型面光源的小。
几何光学 远场条件 测量距离 面光源 照明光学设计 光学学报
2013, 33(s2): s212002
