作者单位
摘要
中国科学院上海冶金所离子束开放实验室, 上海 200050
以CW Ar+激光对非晶硅再结晶得到了SOM(Silicon on Metal)多晶硅新材料。其晶粒大小为10×40 μm2,杂质分布均匀,电学性能大大改善.用这种SOM材料已制备成功在1bar压力范围内灵敏度为6mV/V的性能良好的压力传感器。
激光再结晶 SOM材料 压力传感器 
中国激光
1990, 17(7): 416

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