Author Affiliations
Abstract
1 State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Shanghai 200050, China
2 Nantong Opto-Electronics Engineering Center Chinese Academy of Science, Nantong 226000, China
3 University of Chinese Academy of Science, Beijing 100049, China
An ultra-broadband and fabrication-tolerant silicon polarization rotator splitter is proposed in this Letter. Benefitting from the broadband and low-loss characteristics of the bi-level taper and counter-tapered coupler, the designed device has a simulated insertion loss and crosstalk of less than 0.2 and 15 dB in the waveband from 1290 to 1610 nm. These characteristics make it valuable in applications with large bandwidth requirements, such as full-grid Coarse wavelength division multiplexer (CWDM) and diplexer/triplexer fiber-to-the-home systems. The fabrication tolerance of the design is also analyzed, showing that the device performance is quite stable with normal manufacturing errors in silicon photonics foundries.
130.3120 Integrated optics devices 130.5440 Polarization-selective devices Chinese Optics Letters
2016, 14(8): 081301
中国科学院上海冶金所信息功能材料国家重点实验室, 上海 200050
采用脉冲激光沉积的方法,在Pt/SiO2/Si衬底上制备了掺Ca的(Pb,La)TiO3薄膜。薄膜呈多晶结构,具有较好的铁电性和热释电性。由于掺Ca的作用,使薄膜的材料探测优值和电压响应优值几乎与单晶MgO衬底上的c轴取向的PbTiO3或(Ph,La)TiO3薄膜相比拟。这些较好的实验结果是在硅基衬底上的铁电薄膜中获得的,因而对研制单片集成的红外热释电阵列将有一定的意义。
脉冲激光沉积（PLD） 铁电薄膜 热释电
1 中国科学院上海冶金所信息功能材料国家实验室, 上海 200050
2 中国科学院上海技术物理所红外物理国家实验室, 上海 200083
采用ArF准分子脉冲激光沉积方法(PLD)，以六方氮化硼(h-BN)作靶在Si(100)衬底上制备氮化硼薄膜。XRD及FTIR透射谱测量表明生成的氮化硼薄膜是含有少量六方氮化硼结构的立方氮化硼(C-BN).AES测量表明不同条件下生成的薄膜中N与B的相对含量是不同的，最大比例近乎为1:1，薄膜的维氏显微硬度HV最大值为1580 kg/mm2。
脉冲激光沉积 立方氮化硼 六方氮化硼
中国科学院上海冶金所信息功能材料国家重点实验室, 上海 200050
本实验采用脉冲准分子激光沉积(PLD)法,在193 nm波长,5 Hz频率,4 J/cm2能量密度条件下,分别在Si(100)和SiO2/Si衬底上成功地沉积Pb(Zr,Ti)O3(PZT)薄膜,并在不同的条件下对PZT薄膜进行退火处理。用XRD,RBS,ASR等方法分别测量了薄膜的结构、组份和厚度。
脉冲激光沉积(PLD) 铁电薄膜
中国科学院上海冶金所离子束开放实验室, 上海 200050
以CW Ar+激光对非晶硅再结晶得到了SOM(Silicon on Metal)多晶硅新材料。其晶粒大小为10×40 μm2,杂质分布均匀,电学性能大大改善.用这种SOM材料已制备成功在1bar压力范围内灵敏度为6mV/V的性能良好的压力传感器。
激光再结晶 SOM材料 压力传感器
利用连续Ar+激光使绝缘层上的多晶硅薄膜再结晶.实验结果表明多晶硅晶粒尺寸显著增大,电学性能大为改善,并且与常规的集成电路工艺相容.
1 中国科学院上海冶金所
2 上海第一医学院附属眼耳鼻喉科医院
3 中国科学院上海光机所
利用高功率连续CO2激光定点辐照, 对砷离子注入的硅片进行退火。实验结果表明晶格损伤得到了完全恢复, 注入砷原子的替位率与电激活率高, 还克服了激光聚焦扫描退火时引起硅片表面变形的问题。
