为进一步提高超二代像增强器分辨力, 分析了阴极输入窗、多碱光电阴极、微通道板、荧光屏等对超二代像增强器分辨力的影响, 提出了减小阴极近贴距离、减小微通道板通道孔径、减小光纤面板输出窗丝径以及对微通道板镀制防电子弥散膜来提高分辨力的方法, 并通过实验得到了验证。实验结果表明, 随着阴极近贴距离的不断减小, 分辨力可以得到逐步提高。阴极近贴距离为 0.08 mm的条件下, 缩小光纤面板输出窗的丝径, 缩小微通道板的孔径, 且在微通道板的输出面镀制防电子弥散膜, 可以使超二代像增强器的分辨力达到 72 lp/mm, 最高可达到 76 lp/mm, 比原有超二代像增强器的分辨力提高了 33.33%。

弱光探测器在医学及空间测探等方面都有着极其重要的用途，硅光电倍增管(SiPM)作为弱光探测器有着优异的性能。所研制的体电阻淬灭SiPM，具有良好的单光子探测性能。提高了体电阻淬灭SiPM 在蓝紫光区(360~420 nm)的探测效率，提出了一种深槽隔离结构的SiPM 探测器，通过模拟优化了器件结构，并取得了初步实验结果。