小间距红外探测器目前已成为红外探测器技术发展的一个重要方向。用于连接探测器芯片与读出电路芯片的铟柱的制备工艺水平成为影响器件性能的一个重要因素。介绍了一种10 m间距红外探测器铟柱的制备工艺。新工艺采用多次铟柱生长结合离子刻蚀的手段,最终剥离和制备出高度为8 m、非均匀性小于5%的10 m间距红外探测器读出电路铟柱,解决了用传统工艺制备小间距铟柱时高度不够的问题。该工艺的优势是无需进行两芯片端的铟柱制备,简化了工艺流程,为以后更小间距红外探测器铟柱的制备提供了思路。
铟柱 离子刻蚀 10 m间距 红外探测器 indium bump ion-etching 10 m pitch infrared detector
报道了碲镉汞甚长波红外焦平面探测器的最新研究进展。采用水平液相外延In掺杂和垂直液相外延As掺杂技术生长了p-on-n异质结材料。基于湿法腐蚀、表侧壁钝化以及In柱互连工艺，制备了第一支台面型碲镉汞甚长波红外焦平面器件。在60 K的工作温度下，该器件的截止波长为14.28 m，有效像元率为94.5%，平均峰值探测率为8.98×1010 cm·Hz 1/2·W -1。
双层异质结 甚长波红外 碲镉汞 红外焦平面探测器 double-layer heterojunction very-long-wavelength infrared HgCdTe infrared focal plane detector
介绍了GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器(Quantum Well Infrared Photodetector, QWIP)的低电阻欧姆接触研究情况。结合热处理工艺, 通过测试I--V特性对Ni/AuGe/Au金属体系的不同搭配进行了实验, 确定了适合n+GaAs/AlGaAs的电极体系, 并对沉积金属后的热处理条件进行了初步研究。在400 ℃、氮气氛围、60 s的条件下, 采用传输线模型计算后, 在n+GaAs（1×1018 cm-3）上取得了比接触电阻为3.07×10-5 Ω·cm2的实验结果。
量子阱红外探测器 热处理 欧姆接触 GaAs/AlGaAs GaAs/AlGaAs QWIP thermal treatment ohmic contact
作为未来红外探测器的主流发展方向之一，大面阵红外探测器近年来的发展非常迅速，主要用于天体物理学、地球科学和行星科学等领域，并且是未来地球天气与气候描述、空气污染检测方面的一种主要工具。随着面阵规格和材料尺寸的增加，器件的制作难度也越来越大。重点介绍了目前国际上最常见的两种制冷型红外探测器——HgCdTe和InSb红外探测器。结合国内外的一些文献，总结了这两种红外探测器的大面阵技术的发展状况，并重点介绍了当前全球行业领先的几家红外探测器厂商的相关产品及技术水平。最后指出了大面阵红外探测器研制目前存在的主要问题。
大面阵 碲镉汞 红外探测器 焦平面阵列 large-format HgCdTe infrared detector focal plane array
作为探测器组件的性能指标之一，响应率非均匀性对其实际应用具有重要影响，尤其是在低背景空间应用领域。大面阵探测器芯片的接触孔尺寸不均匀是导致器件响应不均匀的因素之一。对1280×1024大面阵长波红外探测器芯片的接触孔刻蚀工艺进行了研究，并提出了优化改进措施。结果表明，本文方法可提高刻蚀工艺的均匀性，进而降低探测器组件响应率的非均匀性。
大面阵 长波 碲镉汞 刻蚀 非均匀性 large-format long-wave HgCdTe etch non-uniformity
