作者单位
摘要
1 河南平原光电有限公司,河南 焦作 454001
2 焦作大学 机电工程学院,河南 焦作 454000
利用红外波长的激光对微光系统进行辅助照明,改善目标区域的环境照度和对比度,使目标从视场中凸显出来,提高微光系统的探测距离,改善观察效果。采用距离选通技术,合理匹配激光脉冲与选通像增强器的工作时序,屏蔽目标前后非目标反射光以及来自大气中悬浮微粒产生的杂散光干扰,解决同轴照明后向散射问题,达到只观察选定距离内目标的目的。通过微光选通望远镜的工程实践,将激光距离选通技术成功地运用于微光探测领域中,在无月星光,照度为1×10-3lx,大气能见度为10 km条件下,对中型坦克或卡车侧面目标的识别距离可达到1 400 m。
激光照明 微光选通望远镜 距离选通 后向散射 laser illumination range gating low-light-level telescope range gating back scattering 
应用光学
2013, 34(4): 667
作者单位
摘要
1 中国科学院激发态开放重点实验室,中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,长春,130021,长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室,长春,130022
2 中国科学院激发态开放重点实验室,中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,长春,130021
3 吉林大学,长春,130022
4 长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室,长春,130022
采用AlAs氧化物限制工艺实验制备了衬底出光的高功率大出光窗口(直径为300 μm)InGaAs/GaAs量子阱垂直腔面发射半导体激光器,实现了器件室温准连续工作(脉冲宽度为50 μs,重复频率为1000 Hz),并对器件的伏安特性、光输出特性、发射光谱,以及器件的远场发射特性等进行了实验测试.器件阈值电流为 460 mA,器件的最大光输出功率为 100 mW,发射波长为 978.6 nm,光谱半功率全宽度为1.0 nm,远场发散角小于10°,垂直方向的发散角θ⊥为8°,水平方向的发散角θ∥为9°,基本为圆形对称光束.
高功率半导体激光 垂直腔面发射激光器 氧化物限制工艺 量子阱 对称光束 
光子学报
2004, 33(9): 1029
赵路民 1,2,*王青 1晏长岭 1,3秦莉 1[ ... ]王立军 1
作者单位
摘要
1 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理开放实验室,吉林 长春 130021
2 吉林大学电子科学与工程学院,吉林 长春 130026
3 长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室,吉林 长春130022
研究了980 nm垂直腔面发射激光器(VCSEL)的结构设计和器件制作,实现了室温下的脉冲激射.在脉宽为50 μs,占空比为5:1000的脉冲电流下,直径400 μm的器件输出光功率最高可达380 mW,发散角小于10°,光谱的半高全宽为0.8 nm.
激光技术 半导体激光器 垂直腔面发射激光器 分子束外延 量子阱结构 氧化工艺 
中国激光
2004, 31(2): 142
作者单位
摘要
1 中国科学院激发态物理重点实验室,中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,吉林,长春,130021
2 长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室,吉林,长春,130022
3 吉林大学高等学校化学学报,吉林,长春,130023
新出现的直接跃迁GaInNAs与具有高反射率的AlAs/GaAs分布布拉格反射镜相结合构成了GaAs基长波长(1.3~1.6μm)垂直腔面发射激光器(VCSEL),将成为光纤通信、光互联和光信息处理等的关键元件.本文从材料的选取、外延技术和GaInNAs VCSEL国外和国内的发展状况等方面对长波长GaInNAs VCSEL进行了综合阐述.
激光技术 长波长激光 垂直腔面发射激光器(VCSEL) laser techniques long wavelength laser GaInNAs GaInNAs vertical-cavity surface-emitting laser 
量子电子学报
2004, 21(5): 565
作者单位
摘要
1 吉林大学电子科学与工程学院,长春,130026
2 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,长春,130022
3 中国科学院激发态物理开放实验室,长春,130021
介绍垂直腔面发射激光器(VCSEL)的结构、特点、性能、应用以及最新进展,并对当前要解决的关键问题进行了论述.
垂直腔面发射激光器 边发射激光器 布拉格反射器 热沉 量子阱 
激光与光电子学进展
2003, 40(8): 39

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