1 中国科学院半导体研究所纳米光电子实验室, 北京 100083
2 中国科学院西安光学精密机械研究所瞬态光学与光子技术国家重点实验室, 陕西 西安 710119
3 度亘激光技术(苏州)有限公司, 江苏 苏州 215123
半导体激光器从诞生至今半个世纪,在理论、实践和应用方面取得了巨大进展,占据了整体激光领域的大部分市场,广泛应用于通信网络、工业加工、医疗美容、激光传感、航空**、安全防护,以及消费电子等领域。本文在回顾国际国内早期半导体激光器发展历程的基础上,重点针对高功率泵浦源领域的GaAs基8xx nm和9xx nm半导体激光器,三维感知领域的905 nm隧道结激光器和940 nm垂直腔面发射激光器,以及光谱分析和红外感测领域的GaSb基红外激光器和InP基量子级联激光器进行了简单总结。内容包括半导体激光器的主要应用场景、所追求的主要目标、近10年国内外发展的最新进展,以及今后可能的发展趋势与方向。
激光器 半导体激光器 边发射激光器 垂直腔面发射激光器 红外激光器
1 中央民族大学理学院, 北京 100081
2 北京交通大学理学院, 北京 100044
基于有机共轭聚合物聚[2-甲氧基-5-(2-乙基己氧基)-1,4-苯乙炔](MEH-PPV)的脊形波导,利用光子晶体特殊的光调制特性,模拟设计了一维边发射有机光子晶体激光器。利用光子晶体的带隙结构和带边效应构建了由光子晶体全反镜和透反镜形成的谐振腔,在谐振腔内的脊形波导上引入一维缺陷型光子晶体,利用光子晶体缺陷模特性抑制了多纵模竞争,并在此基础上分析了复合结构所导致的边界模效应,得出此类非金属微腔激光器腔长设计的经验公式。模拟结果表明该一维边发射有机光子晶体激光器可实现中心波长为588 nm、半峰全宽为0.131 nm的单纵模激光输出。
激光器 光子晶体激光器 边发射激光器 时域有限差分法 有机半导体
发光学及应用国家重点实验室 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所, 吉林 长春 130033
对半导体激光器的发展历史和发展现状进行了综述, 并具体介绍了长春光学精密机械与物理研究所近年来在大功率半导体激光器方面所取得的主要进展,特别是在大功率半导体激光器的激光光源、垂直腔面发射激光器和新型激光器芯片等方面。
大功率 半导体激光器 边发射激光器 垂直腔面发射激光器 芯片 high power diode laser edge emitting laser vertical cavity surface emitting laser chip
1 西南交通大学,计算机与通信工程学院,成都,610031
2 电子科技大学,宽带光纤传输与通信系统技术国家重点实验室,成都,610054
3 西南交通大学,理学院,成都,610031
根据多模速率方程,利用MATLAB提供的SIMULINK软件包对垂直腔面发射激光器(VCSELs)和边发射激光器(EELs)多模弛豫振荡进行了研究.结果表明,与单模情况相比,多模时EELs弛豫振荡频率增大、弛豫和延迟时间缩短,而VCSELs动态特性变化不大.与此同时,在得出VCSELs的单模工作、高速调制以及提高偏置电流或自发辐射因子可改善两类器件动态特性等结论外还看到,VCSELs边模抑制比(SMSR)随偏置电流变化率高于EELs;自发辐射因子增大时,边模强度同比例增大、主模强度减小,利用微腔效应有效控制自发辐射因子可以优化VCSELs的单模特性.
垂直腔面发射激光器 边发射激光器 弛豫振荡 边模抑制比 自发辐射因子
1 吉林大学电子科学与工程学院,长春,130026
2 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,长春,130022
3 中国科学院激发态物理开放实验室,长春,130021
介绍垂直腔面发射激光器(VCSEL)的结构、特点、性能、应用以及最新进展,并对当前要解决的关键问题进行了论述.
垂直腔面发射激光器 边发射激光器 布拉格反射器 热沉 量子阱
