1 吉林大学电子科学与工程学院 集成光电子学国家重点联合实验室， 吉林 长春 130012
2 河北半导体研究所 专用集成电路国家重点实验室， 河北 石家庄 050051
为获得高质量的β-Ga2O3薄膜，对传统的GaN薄膜高温氧化方法进行了优化。我们通过对GaN薄膜分别进行一步或两步高温氧化的方法制备了β-Ga2O3薄膜，并通过X射线衍射、场发射扫描电子显微镜、拉曼光谱等对制备的样品进行了测试、对比与分析。结果表明，950 ℃下GaN薄膜无法完全氧化，而直接1 150 ℃氧化得到的样品并没有明显的晶向。相比之下，通过两步氧化法，GaN薄膜被完全氧化，且得到的β-Ga2O3薄膜具有明显的沿<201>方向的晶向，样品表面显示出明显的纳米线结构。最佳的氧化时间为在950 ℃下氧化3 h之后在1 150 ℃下氧化1 h，此时得到样品的纳米线结构最明显，其纳米线的直径约为30~40 nm。拉曼光谱测试证实了该条件下获得的样品具有较高的晶体质量。通过分析不同样品结构以及形貌特性，我们发现不同温度下的不同氧化模式是导致该结果的主要原因。
氧化镓 宽禁带半导体 高温氧化工艺 gallium oxide wide bandgap simiconductors high temperature oxidation
1 河北工程大学城市建设学院, 河北 邯郸056038
2 中国环境科学研究院水污染控制技术研究中心, 北京100012
3 中国环境科学研究院环境基准与风险评估国家重点实验室, 北京100012
石化废水排放量大、 污染物成分复杂, 对环境的危害较大。 采用三维荧光光谱扫描技术分析了某大型石化企业综合污水处理厂各处理单元(水解酸化+A/O+接触氧化工艺)进出水的荧光光谱特征。 污水厂总进水包含四个荧光峰Peak A, Peak B, Peak D, Peak E, 分别位于λex/λem=220/300, 225/340, 270/300, 275/340 nm附近, 荧光物质主要来自工业废水, 水解酸化池出水各荧光峰强度有所降低, 位置基本不变, 厌氧池出水λex/λem=250/425 nm附近出现新荧光峰Peak C, 好氧池出水荧光峰Peak C处荧光强度有所增强, 二沉池出水Peak A消失, 二沉池之后水样荧光谱图变化不大; 该处理工艺对荧光有机物的总去除率为920%, Peak A, Peak B, Peak D, Peak E附近的荧光有机物去除率分别为1000%, 912%, 803%, 920%; 污水厂进水IPeak B/IPeak E值波动较大而出水变化不大, 表明该污水处理厂运行稳定, 其处理工艺具有较强的抗冲击负荷能力。
石化废水 三维荧光光谱 荧光有机物 水解酸化+A/O+接触氧化工艺 Petrochemical wastewater Three-dimensional excitation-emission matrix Fluorescence organic matter Hydrolysis-acidification +A/O+ contact-oxidation p
表面光电压法（SPV）能精确测量硅片的Fe离子浓度, 是一种快速、非破坏性的高灵敏度测试方法。采用表面光电压技术研究了氧化工艺中的Fe离子沾污。研究表明, 氧气、氮气、三氯乙烯中含有的微量杂质是氧化工艺中Fe离子沾污的主要来源。通过对氧气、氮气进行进一步纯化处理、减少三氯乙烯杂质质量分数到1.0×10-8、更换传输气体的不锈钢管路等措施, 将氧化工艺Fe离子沾污减少了一个数量级。
电荷耦合器件 氧化工艺 Fe离子沾污 表面光电压 charge-coupled device oxide process Fe iron contamination surface photovoltage
1 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理开放实验室,吉林 长春 130021
2 吉林大学电子科学与工程学院,吉林 长春 130026
3 长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室,吉林 长春130022
研究了980 nm垂直腔面发射激光器(VCSEL)的结构设计和器件制作,实现了室温下的脉冲激射.在脉宽为50 μs,占空比为5:1000的脉冲电流下,直径400 μm的器件输出光功率最高可达380 mW,发散角小于10°,光谱的半高全宽为0.8 nm.
激光技术 半导体激光器 垂直腔面发射激光器 分子束外延 量子阱结构 氧化工艺
