1 华东师范大学 电子工程系 极化材料与器件教育部重点实验室，上海 200241
2 上海大学 微结构实验室，上海 200444
3 绥化学院 电气工程学院，黑龙江 绥化 152061
采用了磁控溅射制备Cu-In-Al金属前驱体薄膜，后硒化快速退火得到铜铟铝硒（Cu(In, Al)Se2，CIAS）薄膜.研究了硒化温度对CIAS薄膜晶体结构和光学性质的影响.研究发现CIAS薄膜的晶体结构依赖于硒化温度，其禁带宽度随硒化温度升高发生红移.研究结果表明，CIAS薄膜的最佳硒化温度为540 ℃，其晶体结构为纯黄铜矿结构，禁带宽度为1.34 eV，对应太阳电池理论最大效率的吸收层材料禁带宽度.
薄膜 硒化温度 Cu (In Cu(In Al) Se2 Al)Se2 thin film selenizaiton temperature 红外与毫米波学报
2015, 34(6): 0726
1 华东师范大学 极化材料与器件教育部重点实验室，上海200241
2 上海大学 材料研究所 分析测试中心，上海200444
通过溶胶凝胶技术在Si衬底上制备了x从0.80增大到1.20的BixFeO3薄膜样品.分析了Bi元素含量的改变对BFO薄膜微结构和光学性质的影响，表明在Bi缺失和Bi过量的BixFeO3薄膜样品中均出现了Bi2Fe4O9杂相和铁氧化物杂相，导致BixFeO3薄膜晶格的菱形扭曲结构发生变化.测试得到了薄膜的拉曼散射谱和椭圆偏振光谱，拉曼散射谱反映了BixFeO3薄膜样品中的振动模式明显受到x取值的影响.根据椭偏数据拟合得到的结果表明折射率在波长600nm以下范围内随着x的减小而减小.而样品的禁带宽度从2.65eV 到 2.76eV，在x为1.05和1.10时得到最大值.
BixFeO3薄膜 溶胶凝胶技术 微结构 光学性质 BixFeO3 thin film sol-gel technique microstructures optical properties
1 华东师范大学 极化材料与器件教育部重点实验室, 上海 200241
2 上海大学 材料研究所 分析测试中心, 上海 200444
采用溶胶-凝胶法在LNO/Si衬底上制备了(Pb1-xLax)(Zr0.52Ti0.48)1-x/4O3(PLZT)多晶薄膜.XRD图谱显示, 通过600 ℃的快速热退火过程制备出了同时具有三方相和四方相的PLZT薄膜, 并且薄膜呈现(110)晶向择优生长; 拉曼图谱进一步证实了薄膜同时具有三方相和四方相; 研究样品的电滞回线发现, 随着La含量的减小, 薄膜的电滞回线不断宽化; 同时, 通过光伏效应测试得出结论, 当La含量从1%增加到6%时, 光生电压逐渐增大,并在6%时达到极大值, 当La含量进一步增加时, 光生电压反而随之减小.
溶胶-凝胶法 PLZT薄膜 光伏效应 sol-gel process PLZT thin films photovoltaic effect
1 华东师范大学 极化材料与器件教育部重点实验室，上海200241
2 上海大学 材料研究所 分析测试中心，上海200444
利用溶胶凝胶法在Si (100) 和LNO/Si (100) 衬底上成功制备了ZnMn共掺钛酸钡薄膜.为了更充分地研究掺杂量对薄膜的晶体微结构和铁电性的影响，利用同样的方法分别制备了不同掺杂量的掺Zn和掺Mn钛酸钡薄膜.X射线衍射和原子力显微镜测量的结果表明薄膜均匀致密，且平均晶粒尺寸在30 nm以内.通过比较400~700 nm范围内各钛酸钡薄膜的折射率和消光系数，可以得到，其禁带宽度随着掺Zn或掺Mn量的变化而变化.对薄膜的铁电性能进行研究表明，ZnMn钛酸钡具有良好的铁电性，其剩余极化值为11.26 μC/cm2，说明微量的ZnMn共掺可以增强薄膜的铁电性.
钛酸钡薄膜 ZnMn共掺 溶胶凝胶法 光学性质 铁电性能 BaTiO3 thin films ZnMn codoping solgel method optical properties ferroelectricity
1 华东师范大学极化材料与器件教育部重点实验室, 上海 200241
2 上海大学材料研究所分析测试中心, 上海 200444
利用溶胶凝胶法在 n-Si(100)衬底上成功制备了钒酸铋 (Bi2VO5.5)铁电薄膜.利用X射线衍射和原子力显微镜对薄膜的微结构进行了分析,结果表明，Bi2VO5.5薄膜与n-Si衬底有着良好的晶格匹配并表现出高度的c轴择优取向,晶粒大小均匀.对薄膜电学性质的研究表明，Bi2VO5.5薄膜具有良好的C-V特性,在±4V偏压下,存储窗大于0.4V.当外加偏压为3.2V时,漏电流密度为5×10-8Acm-2.1kHz下介电常数和介电损耗分别为95和0.22.这些结果说明，Bi2VO5.5在铁电存储器方面具有较大的应用前景.
钒酸铋薄膜 金属/铁电薄膜/半导体结构 溶胶凝胶 电学特性 bismuth vanadate film metal-ferroelectric-semiconductor(MFS) structure sol-gel electrical property
1 华东师范大学,信息学院,上海,200241
2 上海大学,分析测试中心,上海,200444
以SnCl2·2H2O及无水乙醇为原料,利用溶胶-凝胶法在快速热退火下制备了SnO2纳米薄膜,研究了快速热退火(RTA)对SnO2薄膜性质的影响.采用X射线衍射谱(XRD)、扫描电子显微镜(SEM),研究了薄膜的晶粒尺寸、微结构、表面形貌与快速热退火条件的关联,用傅里叶变换红外光谱(FT-IR)和光致发光研究了薄膜的光学性质.结果表明,快速热退火(RTA)温度对薄膜的光学性质、晶粒尺寸和薄膜的结构形态均有较大的影响.
纳米二氧化锡 溶胶-凝胶法(sol-gel) 快速热退火(RTA)
