Author Affiliations
Abstract
1 Department of Materials Engineering, Indian Institute of Science, Bangalore 560012, Karnataka, India
2 Department of Physics, Vivekananda College, East Udayrajpur, Madhyamgram, Kolkata 700129, West Bengal, India
3 Department of Condensed Matter Physics and Material Sciences, S. N. Bose National Centre for Basic Sciences, Block JD, Sector III, Salt Lake, Kolkata 700106, West Bengal, India
4 Department of Physics, Bose Institute, 93/1 Acharya Prafulla Chandra Road, Kolkata 700009, West Bengal, India
We report a straightforward tool to investigate insulator-metal transition in RCoO3 (R = Pr, and Nd) nanoparticles prepared by a sol–gel technique. Thermogravimetric analysis (TGA) of the as-prepared gel is performed to get the lowest possible calcination temperature of RCoO3 nanoparticles. The Rietveld refinement of the powder X-ray diffraction (XRD) patterns for both samples shows that the samples crystallize in the orthorhombic (Pnma) phase at room temperature. The particle size of the sample is determined by scanning electron microscopy. Ac conductivity of the materials is analyzed in the temperature range from 303 K to 673 K and in the frequency range from 42 Hz to 1.1 MHz. The insulator-to-metal transition of PrCoO3 and NdCoO3 is analyzed by ac impedance spectroscopy. DC resistivity measurement is also done to cross check the insulator-metal transition in RCoO3 system.
Sol–gel technique XRD metal-insulator transition transport property 
Journal of Advanced Dielectrics
2023, 13(3): 2350003
作者单位
摘要
1 西南科技大学 材料科学与工程学院,四川 绵阳 621010
2 中国工程物理研究院 激光聚变研究中心,四川 绵阳 621900
针对溶胶-凝胶技术制备的单层SiO2化学膜,在室温下研究氨水-六甲基二硅胺烷(HMDS)气氛的量对膜层改性的影响,并在低真空条件下测试了其抗邻苯二甲酸二丁酯(DBP)污染性能。采用紫外-可见-近红外分光光度计(UV-Vis-NIR)、红外光谱仪和原子力显微镜分析了改性前后化学膜特性的演变。研究结果表明:经过DBP污染后,15~30 mL氨水-HMDS改性后化学膜的峰值透过率为99.8%,较改性前化学膜的峰值透过率提升了3.5%,此时化学膜表现出优异的抗污染特性。但是,随着氨水-HMDS处理量的进一步增多,化学膜的激光损伤阈值由改性前的的24.32 J/cm2降到19.36 J/cm2。本研究有助于优化改性参数,以提高化学膜的抗污染性能,在实际工程应用中具有重要的价值。
溶胶-凝胶技术 SiO2化学膜 氨水-HMDS 邻苯二甲酸二丁酯 激光损伤阈值 sol-gel technique SiO2 chemical film ammonia-HMDS dibutyl phthalate the laser damage threshold 
强激光与粒子束
2021, 33(4): 041001
作者单位
摘要
1 Department of Physics, College of Science, University of Baghdad, Baghdad, Iraq
2 Department of Physics, College of Science, University of Al-Muthanna, Samawa, Iraq
Spectroscopy Keton Red Sol-Gel technique Mean Free Path 
光谱学与光谱分析
2015, 35(2): 334
作者单位
摘要
1 华东师范大学 极化材料与器件教育部重点实验室,上海200241
2 上海大学 材料研究所 分析测试中心,上海200444
通过溶胶凝胶技术在Si衬底上制备了x从0.80增大到1.20的BixFeO3薄膜样品.分析了Bi元素含量的改变对BFO薄膜微结构和光学性质的影响,表明在Bi缺失和Bi过量的BixFeO3薄膜样品中均出现了Bi2Fe4O9杂相和铁氧化物杂相,导致BixFeO3薄膜晶格的菱形扭曲结构发生变化.测试得到了薄膜的拉曼散射谱和椭圆偏振光谱,拉曼散射谱反映了BixFeO3薄膜样品中的振动模式明显受到x取值的影响.根据椭偏数据拟合得到的结果表明折射率在波长600nm以下范围内随着x的减小而减小.而样品的禁带宽度从2.65eV 到 2.76eV,在x为1.05和1.10时得到最大值.
BixFeO3薄膜 溶胶凝胶技术 微结构 光学性质 BixFeO3 thin film sol-gel technique microstructures optical properties 
红外与毫米波学报
2014, 33(1): 19
作者单位
摘要
1 发光学及应用国家重点实验室 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所, 吉林 长春130033
2 中国科学院大学, 北京100049
利用溶胶-凝胶技术与电子束蒸镀相结合的方法在常温下制备了叠层V2O5/Ag/V2O5(VAV)透明导电薄膜, 研究了各层薄膜厚度对叠层结构光电特性的影响。用原子力显微镜、紫外-可见光分光光度计、四探针电阻仪及开尔文探针对样品的表面形貌、光电性能及功函数等性质进行了表征。实验结果表明, 该薄膜具有良好的光学和电学性质, 可见光(380~780 nm)平均透过率达75%,迁移率为16.89 cm2/(V·s), 载流子浓度为-1.043×1022 cm-3, 方块电阻值为15.1 Ω/□, 功函数为5.17 eV。该制备方法降低了V2O5薄膜的工艺制备难度, 为该材料在太阳能电池中的应用创造了良好的前期基础。
溶胶-凝胶技术 透明导电薄膜 V2O5/Ag/V2O5叠层 sol-gel technique transparent conductive film V2O5/Ag/V2O5 (VAV) multi-layers 
发光学报
2014, 35(3): 360
Author Affiliations
Abstract
1 Fiber Optics & Photonics Division, Central Glass & Ceramic Research Institute, 196 Raja S. C. Mullick Road, Jadavpur, Kolkata-700 032, India
2 Sol-Gel Division, Central Glass & Ceramic Research Institute, 196 Raja S. C. Mullick Road, Jadavpur, Kolkata-700 032, India
3 Department of Chemistry, Temple University, Philadelphia, PA, 19122, USA
Inorganic silica-titania thin films with thicknesses 150 nm–200 nm are deposited on high purity and polished silicon wafer and silica glass substrates by sol-gel dipping process and are patterned by capillary force lithography technique. Subsequently grating structure is embossed in green stage. The patterned gel films are subjected to stepwise heat treatment to 500 ℃ and above in pure oxygen atmosphere in order to achieve major conversion of mixed-gel to oxide optical films which are characterized by Ellipsometry, Fourier transform infrared spectroscopy (FTIR) and atomic force microscopy (AFM) to optimize the fabrication parameters and to get perfectly matched film. Removal of organics and formation of perfectly inorganic silica-titania network at optimized heat treatment in controlled environment are ensured by FTIR spectral study. The difference in refractive indices between the substrate and coated film as calculated theoretically matches exactly with the developed waveguides for operating wavelength (632.8 nm) and the measured optical properties show the planar waveguide behavior of the films.
Optical properties sol-gel technique thin films oxides 
Photonic Sensors
2012, 2(1): 81
作者单位
摘要
上海市特殊人工微结构材料与技术重点实验室, 同济大学物理系, 上海200092
Lu2SiO5∶Ce具有高密度、 高光产额、 快衰减等优点, 是一种性能优异的新型X射线闪烁薄膜材料。 本文采用溶胶-凝胶工艺和旋涂技术, 以无机盐为原料、 2-甲氧基乙醇为溶剂、 聚乙二醇(PEG)为改性剂, 在石英基片上成功制备出Lu2SiO5∶Ce透明薄膜, 较为详细地研究了PEG对该薄膜发光性能的影响。 结果表明当采用浓度为12.5%的PEG200时, 所制备薄膜的质量和发光强度最为理想; 通过多次旋涂, Lu2SiO5∶Ce透明薄膜厚度可达0.9 μm。
Lu2SiO5∶Ce薄膜 溶胶-凝胶法 发光性能 Lu2SiO5∶Ce3+ film Sol-gel technique PEG PEG Luminescence properties 
光谱学与光谱分析
2011, 31(2): 344
作者单位
摘要
中国科学技术大学物理系, 安徽 合肥 230026
利用溶胶凝胶法在石英衬底上采用旋涂法制备出ZnO薄膜,通过X射线衍射仪发现不同的退火温度对ZnO薄膜的择优取向有很大影响;通过紫外可见分光光度计 和室温发光谱可以看出,制备的薄膜有很好的光学透过性和很强的紫外发光特性,而不同的退火温度对其光学性质有很大的影响。实验发现采用此种方法在 650 ℃左右退火是一个合适的退火温度,结构特性和光学性质都相对较好;采用热分析方法可知ZnO将在375 ℃左右从非晶转向 结晶状态,因而在常规ZnO薄膜制备方法中增加一步500 ℃的热处理将有助于提高ZnO薄膜的结晶质量。
材料 溶胶凝胶法 ZnO薄膜 c轴择优取向 退火 materials sol-gel technique ZnO thin film c-axis oriented annealing 
量子电子学报
2010, 27(2): 221
作者单位
摘要
1 四川大学 原子与分子物理研究所,成都 610065
2 中国工程物理研究院 激光聚变研究中心,四川 绵阳 621900
以硼酸三正丁酯、甲醇锂为主要原料,甲醇和四氢呋喃为溶剂,利用溶胶-凝胶法通过优化工艺制备了掺锂硼酸盐凝胶。分别采用粘度分析、热分析、X射线衍射、扫描电镜、透射电镜及红外光谱,对凝胶形成过程、物相、成分、微观形貌等进行表征。结果表明:对凝胶在150 ℃条件下处理4 h获得干凝胶,干凝胶在450 ℃左右产生结晶的倾向,492 ℃干凝胶已经完全从非晶态转变为晶态,在808 ℃左右晶体熔解;干凝胶是多孔网络结构材料;干凝胶网络结构的基本组成单元是以≡B-O-B=键的方式连接的,其中一个硼原子是四配位,另一个是三配位的。
硼酸三正丁酯 甲醇锂 溶胶-凝胶法 制备 表征 tri-n-butyl borate lithium methoxide sol-gel technique preparation characterization 
强激光与粒子束
2009, 21(11): 1686
作者单位
摘要
武汉理工大学 材料科学与工程学院,武汉 430070
掺杂氧化锌透明导电膜(AZO)是一种重要的光电子信息材料,其制备方法有真空蒸镀法、磁控溅射法,化学气相沉积和脉冲激光沉积法等。该文采用溶胶-凝胶(sol-gel)工艺在普通玻璃基片上成功地制备出Al3+掺杂型ZnO透明导电薄膜。将这种薄膜在空气和真空中以不同的温度进行了退火处理,并对薄膜进行了XRD分析和光电性能研究。结果表明,所制备的薄膜为钎锌矿型结构,在c轴方向择优生长,真空退火有利于薄膜结晶状况的改善,并使薄膜的载流子浓度大幅度地增加而电阻率下降,并且真空退火对薄膜的透射率影响不大。
溶胶-凝胶 AZO薄膜 真空退火 sol-gel technique AZO thin film vacuum annealing 
应用光学
2006, 27(1): 0040

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