电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室, 四川 成都 611731
该文采用射频反应磁控溅射方法在蓝宝石(0001)基底上沉积了不同氮氩流量比下的ErAlN薄膜, 并基于ErAlN薄膜制备了声表面波(SAW)滤波器。结果表明, 随着氮氩流量比的增加, 薄膜结晶质量和c轴取向先变好再变差, 表面粗糙度先减小后增加, 当V(N2)∶V(Ar)=12∶17时, ErAlN薄膜具有最好的结晶质量和最小的表面粗糙度。基于ErAlN薄膜制备的SAW滤波器在273~288 MHz均有谐振效应, 当V(N2)∶V(Ar)=12∶17时, SAW滤波器具有最小的插入损耗和最大的传输系数。
磁控溅射 氮氩比 Er掺杂AlN薄膜 c轴择优取向 SAW滤波器 magnetron sputtering N2/Ar ratio Er-doped AlN film c-axis preferred orientation SAW filter
三峡大学材料与化工学院，无机非金属晶态与能源转换材料重点实验室，宜昌 443002
采用溶胶-凝胶旋涂法在玻璃衬底上沉积纳米结构Ti、Ga共掺ZnO薄膜(TGZO，Ga掺杂量为1.0%(原子分数，下同))，用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、分光光度计(UV-Vis)、四探针测试仪、霍尔效应测试仪研究了Ti含量对TGZO薄膜的物相组成、表面形貌、电学和光学性能的影响。结果表明：所有TGZO薄膜均表现出六方纤锌矿的多晶结构，并具有(002)择优取向生长，在380~780 nm波长范围内具有良好的透射率(>86％)；随着Ti含量的增加，TGZO薄膜的晶粒尺寸和可见光平均透射率均先增加后减小，而光学带隙和电阻率先减小后增加；Ti掺杂量为1.0%时，具有最高的可见光透射率92.82%，最窄的光学带隙3.249 eV，以及最低电阻率2.544×10-3 Ω·cm。
TGZO薄膜 溶胶凝胶法 光电性能 c轴择优取向 高透过率 TGZO thin film sol-gel method photoelectric property c-axis preferred orientation high transmittance
中国科学技术大学物理系, 安徽 合肥 230026
利用溶胶凝胶法在石英衬底上采用旋涂法制备出ZnO薄膜,通过X射线衍射仪发现不同的退火温度对ZnO薄膜的择优取向有很大影响;通过紫外可见分光光度计 和室温发光谱可以看出,制备的薄膜有很好的光学透过性和很强的紫外发光特性,而不同的退火温度对其光学性质有很大的影响。实验发现采用此种方法在 650 ℃左右退火是一个合适的退火温度,结构特性和光学性质都相对较好;采用热分析方法可知ZnO将在375 ℃左右从非晶转向 结晶状态,因而在常规ZnO薄膜制备方法中增加一步500 ℃的热处理将有助于提高ZnO薄膜的结晶质量。
材料 溶胶凝胶法 ZnO薄膜 c轴择优取向 退火 materials sol-gel technique ZnO thin film c-axis oriented annealing
