以二乙基锌和水汽分别作为锌源和氧源，用LP-MOCVD方法在p型Si(100)衬底上生长了单一取向的ZnO薄膜。对得到的样品在氮气气氛中进行高温热处理，退火温度分别为900，1 000，1 100 ℃。 利用室温PL谱、XRD、AFM、XPS等方法对样品的性质进行了研究。研究表明:(1)随着退火温度的升高，样品的结晶性质也逐渐提高，从表面形貌观察到晶粒尺寸逐渐增大；(2)当退火温度从900 ℃升高至1 000 ℃时，样品的光致发光谱中可见光波段的发光强度有所减弱，而紫外波段的发光强度明显增强；当退火温度升高至1 100 ℃时，可见光波段的发光几乎完全被抑制，而紫外波段的发光强度急剧增强。分析认为，高温退火改善晶体结晶质量的同时调制了样品的Zn/O比，氮气气氛下的热处理使得样品内的氧原子逸出，来自受主缺陷OZn的可见发射随温度升高逐渐减弱，而当退火温度达到1 000 ℃以上时样品成为富锌状态，此时与施主缺陷Zni有关的紫外发射急剧增强。

利用溶胶凝胶法在石英衬底上采用旋涂法制备出ZnO薄膜,通过X射线衍射仪发现不同的退火温度对ZnO薄膜的择优取向有很大影响;通过紫外可见分光光度计 和室温发光谱可以看出,制备的薄膜有很好的光学透过性和很强的紫外发光特性,而不同的退火温度对其光学性质有很大的影响。实验发现采用此种方法在 650 ℃左右退火是一个合适的退火温度,结构特性和光学性质都相对较好;采用热分析方法可知ZnO将在375 ℃左右从非晶转向 结晶状态,因而在常规ZnO薄膜制备方法中增加一步500 ℃的热处理将有助于提高ZnO薄膜的结晶质量。

采用脉冲激光沉积(PLD)技术，在(110)和(100)织构金刚石膜上成功制备出高度c－轴取向的ZnO薄膜，然后在纯氮气氛条件下对ZnO薄膜进行退火处理。作为比较，也在(100)Si上生长的ZnO薄膜进行了相同的处理。通过测量X射线衍射(XRD)谱和光致发光(PL)谱，研究了不同衬底性质和退火对薄膜结构和发光特性的影响。实验结果表明，在(100)织构金刚石上的ZnO膜具有最好的结晶质量，其半高宽只有0．2°。退火之后近紫外发光峰明显减弱的同时，绿色发光峰得到增强。这里归结为氮气退火后氧空位的增加，这点从退火后的XPS谱中可以得到进一步的确认。