采用65 nm CMOS工艺, 设计了一种基于MOS亚阈区特性的全CMOS结构电压基准源。首先利用工作在亚阈值区NMOS管的栅源电压间的差值得到具有特定2阶温度特性的CTAT电压, 该CTAT电压的2阶温度特性与PTAT电压2阶温度特性的弯曲方向相反。再通过电流镜技术实现CTAT电压和PTAT电压求和, 最终得到具有2阶温度补偿效果的基准输出电压。仿真结果表明, 电路可工作在1.1 V到1.5 V电压范围内; 在-55 ℃~160 ℃范围内, 电压基准的温度系数可达5.9×10-6/℃; 在1.2 V电源电压下, 电路的静态功耗和输出电压值分别为10 μW和273.5 mV。

以二乙基锌和水汽分别作为锌源和氧源，用LP-MOCVD方法在p型Si(100)衬底上生长了单一取向的ZnO薄膜。对得到的样品在氮气气氛中进行高温热处理，退火温度分别为900，1 000，1 100 ℃。 利用室温PL谱、XRD、AFM、XPS等方法对样品的性质进行了研究。研究表明:(1)随着退火温度的升高，样品的结晶性质也逐渐提高，从表面形貌观察到晶粒尺寸逐渐增大；(2)当退火温度从900 ℃升高至1 000 ℃时，样品的光致发光谱中可见光波段的发光强度有所减弱，而紫外波段的发光强度明显增强；当退火温度升高至1 100 ℃时，可见光波段的发光几乎完全被抑制，而紫外波段的发光强度急剧增强。分析认为，高温退火改善晶体结晶质量的同时调制了样品的Zn/O比，氮气气氛下的热处理使得样品内的氧原子逸出，来自受主缺陷OZn的可见发射随温度升高逐渐减弱，而当退火温度达到1 000 ℃以上时样品成为富锌状态，此时与施主缺陷Zni有关的紫外发射急剧增强。