通过分析加入不同交联剂质量分数的PVP绝缘膜MIS结构的电学特性，研究了交联剂质量对PVP薄膜电学特性的影响。交联剂PMF和PVP均溶于PGMEA，PVP绝缘膜通过溶液旋涂法由交联剂质量分数分别为1%、3%、5%、7%的四种溶液制成，四种溶液PVP的质量分数均为5%。对CV特性、Vt特性和IV特性的分析表明，在PVP质量分数为5%的溶液中，加入质量分数为5%的交联剂，退火之后形成的PVP绝缘膜陷阱密度最低，漏电流最小，仅为2.9×10-8A/cm2。通过对JV特性曲线的线性拟合发现，PVP绝缘膜在低电场情况下漏电机理为PF效应，在高电场情况下PVP绝缘膜漏电机理存在由肖特基发射至空间电荷限制电流效应的转化。

采用转移线性法分析了以PVP为栅绝缘层、以Tips-pentacene为有源层的有机薄膜晶体管(OTFT)电极与有源层间的接触电阻, 其中介电层和有源层均采用旋涂法制备, 银电极采用喷墨印刷法制备。沟道长度分别取200,250,300 μm和400 μm, 有源层退火时间分别为2 h,6 h和10 h, 提取到的3种不同退火时间的OTFT的接触电阻分别为8 MΩ,4.5 MΩ和3 MΩ, 退火10 h的OTFT的接触电阻较小主要是因为较长时间的退火使得Tips-pentacene有源层中的杂质较少, 电极和有源层之间的接触势垒较小。