为了适应新一代电子技术的日益发展，开发各种新型存储器显得日益重要。与传统存储器相比，新一代的存储器不但需要更高性能的记忆特性，还需要可以满足灵活性、透明性或神经形态功能等特定应用的需求。本文以有机半导体材料C8-BTBT作为半导体层，PVP量子点共混作为浮栅提出了一种有机透明存储器（透明度≥83%）。器件具有超过40 V的存储窗口，编写/擦除电流比大于10³，在10⁴ s后仍能稳定分辨开关态。本文工作为透明柔性器件提供了一种新的解决方案，并预示了它们在下一代透明有机电子领域的潜力。

研究了基于联噻吩-氮杂异靛蓝-双（2-氧代二氢-7-氮杂吲哚-3-亚基）苯并二呋喃二酮的三组分给体-受体共轭聚合物（BTNIDNBIBDF-50）薄膜对二氧化氮气体传感特性。通过控制半导体浓度调控半导体薄膜表面形貌，研究其对二氧化氮气体灵敏度的影响。聚合物半导体BTNIDNBIBDF-50的浓度为2 mg/mL时对NO₂气体表现出最优的传感性能，对体积分数为10×10^-6 NO₂气体的灵敏度为121.44%。实验结果表明：三组分共轭聚合物BTNIDNBIBDF-50呈现双极型半导体特性，降低聚合物半导体浓度会使薄膜表面出现明显的孔洞结构，提高传感器对NO₂气体的灵敏度。但过多的孔洞又会使气体解吸附速率的变化大于吸附速率变化，导致传感器灵敏度降低。

利用有机材料PDVT-10中固有的持续光电导效应，结合铁电材料P（VDF-TrFE）提供的极化电场，通过调整铁电材料的极化强度来实现对光突触器件驰豫特性的调控。模拟了突触的短期可塑性、双脉冲易化性等基本功能，并进一步实现了多级、可调光突触。此外，持续光电导效应的驰豫现象与生物突触中Ca²⁺的流动特性相类似，可以更好地模拟生物突触行为。研究结果为开发可调光突触提供了一个新的思路。

以p型共轭有机小分子2，7二辛基[1]苯并噻吩并[3,2?b]苯并噻吩(C8?BTBT)作为底栅顶接触有机薄膜晶体管（OTFT）的有源层，采用浸渍提拉法、喷墨打印法和真空蒸镀法三种制备工艺，探究半导体薄膜载流子迁移率与结晶形貌的关系，发现不同工艺下有机小分子呈现出不同的生长行为和结晶情况，在很大程度上决定了OTFT器件性能的优劣；此外，通过XRD分析研究了退火处理对C8?BTBT结晶的影响。结果表明,真空蒸镀制备的薄膜具有更高的结晶度、衬底覆盖率高，并且呈现出SK（Stranski?Krastanov）模式的结晶生长特征，相应器件中陷阱密度最低，迁移率高达5.44 cm²·V^-1·s^-1，开关比超过10⁶；且退火处理会严重破坏C8?BTBT薄膜的结晶。因此，控制半导体层的生长行为，提升半导体层的覆盖率和结晶度是制备高性能共轭小分子OTFT器件的有效途径。