以p型共轭有机小分子2，7二辛基[1]苯并噻吩并[3,2?b]苯并噻吩(C8?BTBT)作为底栅顶接触有机薄膜晶体管（OTFT）的有源层，采用浸渍提拉法、喷墨打印法和真空蒸镀法三种制备工艺，探究半导体薄膜载流子迁移率与结晶形貌的关系，发现不同工艺下有机小分子呈现出不同的生长行为和结晶情况，在很大程度上决定了OTFT器件性能的优劣；此外，通过XRD分析研究了退火处理对C8?BTBT结晶的影响。结果表明,真空蒸镀制备的薄膜具有更高的结晶度、衬底覆盖率高，并且呈现出SK（Stranski?Krastanov）模式的结晶生长特征，相应器件中陷阱密度最低，迁移率高达5.44 cm²·V^-1·s^-1，开关比超过10⁶；且退火处理会严重破坏C8?BTBT薄膜的结晶。因此，控制半导体层的生长行为，提升半导体层的覆盖率和结晶度是制备高性能共轭小分子OTFT器件的有效途径。