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研究与试制
C8⁃BTBT薄膜结晶形貌及OTFT器件性能研究
下载:944次
黄玲玲
1,2
陈幸福
1,2
胡鹏
1,2
李博
1,2
[ ... ]
胡俊涛
1,2
作者单位
摘要
1
合肥工业大学光电技术院,特种显示技术国家工程实验室,合肥 230009
2
安徽省部共建现代显示技术国家重点实验室(培育基地), 合肥 230009 )
以p型共轭有机小分子2,7二辛基[1]苯并噻吩并[3,2?b]苯并噻吩(C8?BTBT)作为底栅顶接触有机薄膜晶体管(OTFT)的有源层,采用浸渍提拉法、喷墨打印法和真空蒸镀法三种制备工艺,探究半导体薄膜载流子迁移率与结晶形貌的关系,发现不同工艺下有机小分子呈现出不同的生长行为和结晶情况,在很大程度上决定了OTFT器件性能的优劣;此外,通过XRD分析研究了退火处理对C8?BTBT结晶的影响。结果表明,真空蒸镀制备的薄膜具有更高的结晶度、衬底覆盖率高,并且呈现出SK(Stranski?Krastanov)模式的结晶生长特征,相应器件中陷阱密度最低,迁移率高达5.44 cm
2
·V
-1
·s
-1
,开关比超过10
6
;且退火处理会严重破坏C8?BTBT薄膜的结晶。因此,控制半导体层的生长行为,提升半导体层的覆盖率和结晶度是制备高性能共轭小分子OTFT器件的有效途径。
2,7二辛基[1]苯并噻吩并[3,2?b]苯并噻吩
结晶形貌
结晶度
迁移率
有机薄膜晶体管
C8-BTBT
crystallographic morphology
crystallization
mobility
organic thin film transistor (OTFT)
PDF全文
Full Text
光电子技术
2020, 40(1): 28
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