作者单位
摘要
1 吉林大学 材料科学与工程学院, 吉林 长春 130012
2 吉林大学 超硬材料国家重点实验室, 吉林 长春 130012
利用水合肼作缓释型碱源和络合剂, 采用水热法合成了Zn2SnO4立方多面体。XRD物相分析表明, 产物为结晶良好的立方反尖晶石结构Zn2SnO4。FESEM和TEM形貌分析表明, 该Zn2SnO4微晶为边长100~400 nm左右的立方体, 其光致发光光谱是蓝-绿光发射带(中心590 nm处), 在400 ℃空气气氛下退火1 h后, 蓝-绿光发射带的强度显著降低。这主要是因为退火处理提高了晶体质量, 降低了氧空位浓度, 从而降低了可见光发射带的强度。
水热合成 多面体 荧光光谱 Zn2SnO4 Zn2SnO4 hydrothermal synthesis polyhedron PL spectrum 
发光学报
2012, 33(7): 716
作者单位
摘要
1 哈尔滨工业大学 复合材料与结构研究所, 黑龙江 哈尔滨 150080
2 吉林大学 材料科学与工程学院, 吉林 长春 130012
3 中国科学院 长春光学精密机械与物理研究所 光学系统先进制造技术重点实验室, 吉林 长春 130033
利用磁控溅射制备碳化锗(Ge1-xCx)薄膜, 系统地研究了生长温度(Tg)对所获薄膜成分及性能的影响并揭示了它们之间的内在关系。研究发现所有Ge1-xCx薄膜样品均为非晶结构, 随着Tg从60 ℃增加到500 ℃, 膜中锗含量增加, 而碳含量相对降低, 这种成分的改变增加了膜中组成原子的平均质量, 进而导致薄膜折射率从2.3增加到 4.3, 这种折射率大范围连续可调的特性十分有利于Ge1-xCx多层红外增透保护膜的设计和制备。此外研究还发现, 随着Tg的增加, Ge1-xCx膜中Ge—H和C—H键逐渐减少, 这不但显著减小了薄膜在~5.3 μm和~3.4 μm处的光吸收, 而且显著提高了薄膜的硬度。这些结果表明, 提高生长温度是调制Ge1-xCx 薄膜成分、改善其光学和力学性能的有效途径。
生长温度 碳化锗 性能 growth temperature germanium carbide performance 
液晶与显示
2010, 25(4): 515
作者单位
摘要
1 吉林大学 材料科学与工程学院, 吉林 长春 130012
2 中国科学院 长春光学精密机械与物理研究所 光学系统先进制造技术重点实验室,吉林 长春 130033
利用磁控溅射方法在ZnS基底上设计并制备了一种Ge1-xCx双层膜,研究发现双面镀Ge1-xCx双层膜后,ZnS基底在 8~11.5 μm远红外波段的平均透过率提高了9.5%,硬度提高了近3倍,而且该双层膜还具有良好的热稳定性和耐热冲击能力。研究结果表明,此Ge1-xCx双层膜是一种高效的ZnS红外窗口增透保护膜。
碳化锗 ZnS红外窗口 增透保护膜 germanium carbide ZnS infrared window antireflection and protection coatings 
液晶与显示
2010, 25(3): 339
作者单位
摘要
1 延边大学理工学院物理系
2 吉林师范大学应用工程学院
3 吉林大学超硬材料国家重点实验室
4 吉林大学超硬材料国家重点实验室
利用磁控溅射方法制备了纳米TiO2 薄膜,通过Raman光谱和UV Vis光谱讨论了TiO2 薄膜的带宽随着厚度变化的规律。随着薄膜厚度的增加,TiO2 薄膜的带宽变窄,这是由于纳米薄膜的纳米效应所致
纳米TiO2薄膜 Raman光谱 UV-Vis光谱 带宽 Nanometer TiO2 thin films Raman spectra UV-Vis spectra Bandgap width 
光散射学报
2005, 17(1): 16

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