为降低TDDI产品Lead Open型线不良发生率, 本文对Lead Open的发生机理进行了研究及改善验证。对TDDI产品生产数据进行了对比, 对Mo-Al-Mo结构的SD膜层进行研究, 根据以上结果确定改善方案并投入验证。首先, 明确了Lead Open发生率与Delay Time的关系。接着, 对SD膜层的微观结构进行了表征。然后, 根据膜层结构和不同金属的电化学特征, 建立了SD膜层电偶腐蚀模型。分析表明: Mo、Al两种金属间存在1.47 V的电极电位差, 具有很强的电偶腐蚀倾向性, 且表层 Mo中存在10 nm级别的贯穿性孔洞, 直径为0.4 nm的水分子可轻易渗入, 进而引发电偶腐蚀。表层 Mo厚度增加25%后, 其腐蚀速度较量产条件降低30%, Lead Open发生率降低1.4个百分点, 维持在0.1%的较低水平, 满足TDDI产品量产对该类不良发生率的要求。