1 中国科学院上海技术物理研究所, 红外成像材料与器件重点实验室, 上海 200083
2 中国科学院研究生院, 北京 100049
对中波红外碲镉汞雪崩光电二极管(APD)特性进行理论计算, 获得材料的能量散射因子及电离阈值能级与材料特性的相互关系, 从而计算器件的理论雪崩增益与击穿电压 通过对材料特性(组分, 外延厚度, 掺杂浓度等)的优化, 设计并生长了适合制备PIN结构红外雪崩光电二极管的碲镉汞材料, 并进行了器件验证 结果显示, 在10 V反偏电压下, 该器件电流增益可达335.
碲镉汞 雪崩光电二极管 雪崩增益 击穿电压 HgCdTe avalanche photodiode(APD) gain breakdown voltage
1 中国科学院上海技术物理研究所 红外材料与器件重点实验室，上海200083
2 中国科学院研究生院，北京100039
基于GaAs/Si材料中位错的运动反应理论，修正获得CdTe/Si和HgCdTe/Si外延材料中的位错运动反应模型.采用快速退火方法对Si基HgCdTe外延材料进行位错抑制实验研究，实验结果与理论曲线基本吻合，从理论角度解释了不同高温热处理条件对材料体内位错的抑制作用.对于厚度为4～10 μm的CdTe/Si进行500 ℃快速退火1 min，可使位错密度降低0.5～1个数量级，最好结果为2.5×105 cm-2.
碲镉汞 热退火 位错 分子束外延 HgCdTe thermal annealing dislocation MBE
