基于第一性原理赝势平面波方法，对稀土(Y、Ce)掺杂β-FeSi2的几何结构、电子结构和光学性质进行了计算与分析。几何结构的计算表明，Y 或Ce掺杂后β-FeSi2的晶格常数改变，晶胞体积减小。电子结构的计算表明，掺入稀土后β-FeSi2 费米面附近的能带结构变得复杂，带隙变窄；总电子态密度发生了变化，Y 的4d 轨道电子态密度和Ce的4f轨道电子态密度主要贡献给费米面附近。光学性质的计算结果表明，Y 或Ce 掺杂后β-FeSi2 的静态介电常数明显提高，介电函数虚部ε2 的峰值均向低能方向移动并且减弱，折射率n0 明显提高，消光系数k 的峰值减弱，计算结果为β-FeSi2材料掺杂稀土改性的实验研究提供了理论依据。

基于密度泛函理论(DFT)框架下的第一性原理赝势平面波方法，对锕(Ac)掺杂β-FeSi2的几何结构，电子结构和光学性质进行了计算与分析。几何结构的计算表明：Ac掺杂后β-FeSi2晶格常数a、b及c都有所变化，晶胞体积增大。电子结构的计算表明：Ac掺入后导致费米面进入导带，能带结构仍为准直接带隙，但是带隙明显变窄；费米能级附近，总电子态密度主要由Fe的3d层和Si的3p层电子态密度决定，Ac的6d层电子态密度贡献很小。光学性质的计算表明：静态介电常数ε1(0)明显提高，介电函数的虚部ε2的峰值向低能方向移动并且减弱，折射率n0明显提高，消光系数k向低能方向有一微小的偏移，吸收峰增强，平均反射效应变化不大，计算结果为β-FeSi2材料掺杂改性的实验研究提供了理论依据。

采用第一性原理赝势平面波方法对应力调制下β-FeSi2的电子结构及光学性质进行了计算，全面分析了应力对β-FeSi2能带结构、电子态密度和光学性质的影响。在各向同性应力的作用下，压缩晶格使β-FeSi2的导带向高能区漂移，带隙变宽，拉伸晶格使导带向低能区漂移，带隙变窄，且当拉伸应力增加到-25 GPa时，费米能级穿过了价带和导带，β-FeSi2由半导体变成了导体；压缩晶格会使各光学参数发生蓝移，增大β-FeSi2的吸收系数和光电导率，降低反射率，而拉伸晶格会导致红移，增大静态介电常数，折射率n0和反射率，降低吸收系数。 施加应力可以调节β-FeSi2的电子结构和光学性质，是改变和控制β-FeSi2的光电传输性能的有效手段。

采用基于第一性原理的赝势平面波方法，对不同Al掺杂浓度CrSi2的几何结构、能带结构、态密度和光学性质进行了计算和比较。几何结构和电子结构的计算表明：Al掺杂使得CrSi2的晶格常数a和b增大，c变化不大，晶格体积增大；Cr(Si1-xAlx)2仍然是间接带隙半导体，掺杂使得费米面向价带移动，且随着掺杂量的增大而更深地嵌入价带中，费米能级附近的电子态密度主要由Cr的3d态电子贡献。光学性质计算表明，随着掺杂量的增大，Cr(Si1-xAlx)2的静态介电常数、第一介电峰、折射率n0逐渐增大，平均反射效应减弱，表明Al掺杂有效增强了CrSi2对光的吸收，能够提高其光电转换效率。计算结果为CrSi2光电材料的应用和设计提供了理论指导。