采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势平面波方法，对Co掺杂CrSi2的几何结构、电子结构和光学性质进行了计算与分析。结果表明，掺杂后的CrSi2 晶格常数无明显变化，禁带宽度增大。由于Co元素3d电子的影响，在费米能级附近出现了杂质能级。掺杂后的CrSi2复介电函数虚部在低能方向发生红移，在 小于1.20 eV，大于2.41 eV的能量范围内光跃迁强度增强。吸收系数的主峰向高能方向移动，峰值增大，在小于1.38 eV，大于3.30 eV的能量范围改善了 CrSi2对红外光子的吸收。光电导率的主峰向高能方向移动，在小于1.16 eV，大于2.36 eV的能量范围内光电导率增强，说明掺杂Co元素后改善了CrSi2特别是 红外光区的光电性质，计算结果为CrSi2光电器件的研究制造提供了理论依据。

基于第一性原理, 对不同P原子掺杂浓度的二维SiC的几何结构、电子结构和光学性质进行了研究。结果表明：随着P掺杂浓度的增加, P掺杂二维SiC的晶格常数变小, 带隙减小; 价带主要由C-2p, Si-3p和P-3p态电子杂化构成, 导带主要由Si-3p态电子构成。P削弱了C—Si键的共价性, 增加了离子性。P掺杂扩大了二维SiC的光吸收范围, 吸收系数和折射率随掺杂浓度的增加而增大, 表明P掺杂能有效提高二维SiC对可见光和红外光的吸收。

基于第一性原理赝势平面波方法，对稀土(Y、Ce)掺杂β-FeSi2的几何结构、电子结构和光学性质进行了计算与分析。几何结构的计算表明，Y 或Ce掺杂后β-FeSi2的晶格常数改变，晶胞体积减小。电子结构的计算表明，掺入稀土后β-FeSi2 费米面附近的能带结构变得复杂，带隙变窄；总电子态密度发生了变化，Y 的4d 轨道电子态密度和Ce的4f轨道电子态密度主要贡献给费米面附近。光学性质的计算结果表明，Y 或Ce 掺杂后β-FeSi2 的静态介电常数明显提高，介电函数虚部ε2 的峰值均向低能方向移动并且减弱，折射率n0 明显提高，消光系数k 的峰值减弱，计算结果为β-FeSi2材料掺杂稀土改性的实验研究提供了理论依据。

基于密度泛函理论(DFT)框架下的第一性原理赝势平面波方法，对锕(Ac)掺杂β-FeSi2的几何结构，电子结构和光学性质进行了计算与分析。几何结构的计算表明：Ac掺杂后β-FeSi2晶格常数a、b及c都有所变化，晶胞体积增大。电子结构的计算表明：Ac掺入后导致费米面进入导带，能带结构仍为准直接带隙，但是带隙明显变窄；费米能级附近，总电子态密度主要由Fe的3d层和Si的3p层电子态密度决定，Ac的6d层电子态密度贡献很小。光学性质的计算表明：静态介电常数ε1(0)明显提高，介电函数的虚部ε2的峰值向低能方向移动并且减弱，折射率n0明显提高，消光系数k向低能方向有一微小的偏移，吸收峰增强，平均反射效应变化不大，计算结果为β-FeSi2材料掺杂改性的实验研究提供了理论依据。

采用第一性原理赝势平面波方法，对V-Al共掺杂CrSi2的几何结构、电子结构和光学性质进行了理论计算，并与未掺杂、V、Al单掺杂CrSi2的光电性能进行了比较。结果表明：V-Al共掺杂会增大CrSi2的晶格常数a和b，体积相应增大。V-Al: CrSi2是p型间接带隙半导体，带隙宽度为0.256 eV，介于V、Al单掺杂CrSi2之间；费米能级附近的电子态密度主要由Cr-3d、V-3d、Si-3p、Al-3p轨道杂化构成。与未掺杂的CrSi2相比，V-Al:CrSi2的静态介电常数和折射率增大，εi(ω)在低能区有一个新的跃迁峰。在光子能量为5 eV附近，εi(ω)的跃迁峰强度大幅减弱，吸收系数和光电导率明显降低，吸收边略有红移，平均反射效应减弱。V的掺入会削弱Al单掺杂的电子跃迁，V-Al共掺杂可以对CrSi2的能带结构和光学性质进行更精细的调节。

采用第一性原理赝势平面波方法对应力调制下β-FeSi2的电子结构及光学性质进行了计算，全面分析了应力对β-FeSi2能带结构、电子态密度和光学性质的影响。在各向同性应力的作用下，压缩晶格使β-FeSi2的导带向高能区漂移，带隙变宽，拉伸晶格使导带向低能区漂移，带隙变窄，且当拉伸应力增加到-25 GPa时，费米能级穿过了价带和导带，β-FeSi2由半导体变成了导体；压缩晶格会使各光学参数发生蓝移，增大β-FeSi2的吸收系数和光电导率，降低反射率，而拉伸晶格会导致红移，增大静态介电常数，折射率n0和反射率，降低吸收系数。 施加应力可以调节β-FeSi2的电子结构和光学性质，是改变和控制β-FeSi2的光电传输性能的有效手段。

采用基于第一性原理的赝势平面波方法，对不同Al掺杂浓度CrSi2的几何结构、能带结构、态密度和光学性质进行了计算和比较。几何结构和电子结构的计算表明：Al掺杂使得CrSi2的晶格常数a和b增大，c变化不大，晶格体积增大；Cr(Si1-xAlx)2仍然是间接带隙半导体，掺杂使得费米面向价带移动，且随着掺杂量的增大而更深地嵌入价带中，费米能级附近的电子态密度主要由Cr的3d态电子贡献。光学性质计算表明，随着掺杂量的增大，Cr(Si1-xAlx)2的静态介电常数、第一介电峰、折射率n0逐渐增大，平均反射效应减弱，表明Al掺杂有效增强了CrSi2对光的吸收，能够提高其光电转换效率。计算结果为CrSi2光电材料的应用和设计提供了理论指导。

采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势平面波方法，对不同Co含量的β-FeSi2的能带结构，态密度、分态密度和光学性质进行了计算和比较。几何结构和电子结构的计算结果表明，Co掺杂使得β-FeSi2的晶格常数a增大，b和c变化不大，晶格体积增大。Fe1-xCoxSi2的能带结构变为直接带隙，禁带宽度从0.74 eV减小到0.07 eV，Co的掺入削弱了Fe的3d态电子，但费米能级附近的电子态密度仍主要由Fe的3d态电子贡献。此外，Co掺杂导致β-FeSi2的晶格体积增大，这对掺杂后β-FeSi2的带隙变窄起到一定的调制作用。光学性质的计算表明，Co掺入后介电函数虚部ε2(ω)向低能方向偏移，且光学跃迁强度明显减弱，吸收边发生了红移，光学带隙随Co含量增加而减小。计算结果为β-FeSi2光电材料的设计和应用提供了理论依据。

采用基于第一性原理的密度泛函理论(DFT)赝势平面波方法计算了锰掺杂二硅化铬(CrSi2)体系的能带结构、态密度和光学性质。计算结果表明未掺杂CrSi2属于间接带隙半导体,间接带隙宽度ΔEg=0.35 eV;Mn掺杂后费米能级进入导带,带隙变窄,且间接带隙宽度ΔEg=0.24 eV,CrSi2转变为n型半导体。光学参数发生改变,静态介电常数由掺杂前的ε1(0)＝32变为掺杂后的ε1(0)＝58;进一步分析了掺杂对CrSi2的能带结构、态密度和光学性质的影响,为CrSi2材料掺杂改性的研究提供了理论依据。