分别采用偶氮化合物类塑性膨胀剂(PEA1)及亚硝基化合物类塑性膨胀剂(PEA2)配制了C125海上风电超高性能灌浆料, 对比研究了塑性膨胀剂种类及掺量对C125海上风电超高性能灌浆料流动度、膨胀率、抗压强度、电通量及孔结构分布的影响规律。结果表明, 随着塑性膨胀剂掺量的增加, 灌浆料的流动度先增大后减小, 抗压强度逐渐降低, 竖向膨胀率和电通量逐渐增加。当PEA1、PEA2掺量相同时, PEA1对灌浆料的流动度、抗压强度、竖向膨胀率和电通量的影响幅度更大, 掺入PEA1后灌浆料的总孔隙率、平均孔径及大孔比例增幅更明显。

根据激光与电子相互作用方程与电子辐射功率方程建立单电子对撞模型, 借助MATLAB软件模拟, 详细研究不同强度圆偏振激光脉冲作用下, 电子振荡辐射的三维空间分布特点。研究结果表明, 对撞电子的空间辐射最大值随激光强度的增大而增大。从三维空间图像特点来看, 随着激光强度的增大, 辐射圆锥面所围立体角不断扩大, 当振幅峰值由线性向非线性过渡时, 极角方向上的辐射值由平滑向出现波折转变, 方位角方向上由均匀向非均匀变化, 当归一化激光强度达到10时, 辐射方向近似垂直于运动方向呈平面。

采用传统高温固相法制备了系列xZnAl2O4/CaAl12O19∶Mn4+(xZAO/CAO∶Mn4+)混合相红光荧光粉, 研究了ZnAl2O4掺杂对CaAl12O19∶Mn4+形貌和发光性能的影响。X射线衍射(XRD)表征结果表明, 在1 723 K下煅烧6 h成功合成了xZAO/CAO∶Mn4+混合相荧光粉, 随着ZnAl2O4掺杂量的增加依然保持两相共存。荧光光谱分析表明, 当x=1时, ZAO/CAO∶Mn4+具有最大的荧光强度, 其值比CaAl12O19∶Mn4+的荧光强度提高了203%。相对于CaAl12O19∶Mn4+荧光粉, ZAO/CAO∶Mn4+荧光粉具有更长的荧光寿命, 其内量子效率提高了211%。在298~418 K温度范围内, ZAO/CAO∶Mn4+荧光粉的绝对灵敏度(Sa)为4.32×10-3 K-1; 在418 K时, 最大相对灵敏度(Sr)为3.65×10-3 K-1。该荧光粉在光学测温方面具有潜在应用价值。

针对缺陷国画类数字图像的修复问题，提出一种基于自体理论分割体系的改进BSCB模型。首先利用基于分通道自体理论的分割模型对待修复区域与背景区域进行精确分离；之后对于分离所得的待修复区域，使用Reinhard色彩迁移算法对其进行指定色彩标记，以便于计算机的自动识别；最后针对传统BSCB算法，由于拉普拉斯光滑算子综合考虑所有邻点进行同性扩散后容易导致图像模糊、产生等照线交叉等问题，采用基于平滑和梯度近似（ASG）算子的改进BSCB模型对标记区域进行修复，实现破损、色彩失真、细节丢失等缺陷类国画图像的修复。研究结果表明，相比于传统修复算法，所提改进算法对不同缺陷类型国画图像均有更好的修复效果，具有实际应用价值。

采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理计算方法, 计算了Mn4Si7及Mo掺杂Mn4Si7的电子结构和光学性质。计算结果表明Mn4Si7的禁带宽度Eg=0.804 eV, Mo掺杂Mn4Si7的禁带宽度Eg=0.636 eV。掺杂使得 Mn4Si7费米面附近的电子结构发生改变, 导带底由Γ点转移为Y 点向低能方向下偏移, 价带顶向高能方 向上偏移, 带隙变窄。计算还表明Mo掺杂 Mn4Si7使介电函数、折射率、吸收系数及光电导率等光学性质增加。

采用基于密度泛函理论的第一性原理和分子动力学理论,验证了二维GaAs类石墨烯结构的稳定性,计算了二维GaAs的基态电子结构、态密度和光学性质参数。结果表明,不同于三维GaAs,二维GaAs最高的两个能带相互交叠,显示出金属性;维度的降低使得As的s态和p态电子相互作用增强,产生较多的态密度峰,且峰位向低能方向移动;低能带主要由Ga-d态、As-s态和As-p态构成;高能带主要由As-s态和As-p态构成;二维GaAs静态介电常数为3.67,对紫外光具有较强的吸收作用,在光子能量3.90~4.71 eV和5.69~6.90 eV范围表现出金属反射特性。

Mg2Si材料作为一种新型环境友好半导体材料, 其薄膜制备方法及其光学性质的研究对其应用研发起到基础性作用.采用电子束蒸发方法在Si(111)衬底上沉积Mg膜, 在氩气环境下进行热处理以制备Mg2Si半导体薄膜.采用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)、分光光度计对制备的Mg2Si薄膜进行表征.在氩气环境、温度500 ℃、压强200 Pa下, 研究热处理时间(时间3-7 h)对Mg2Si薄膜形成的影响.XRD和SEM结果表明：通过电子束蒸发沉积方法在500 ℃、热处理时间为3~7 h能够得到Mg2Si薄膜.热处理温度是500 时, 最佳热处理时间是4 h, 得到致密度好的薄膜.通过对薄膜的红外透射谱测试, 得到了Mg2Si薄膜的光学带隙, 其间接光学带隙值为0.9433 eV, 直接光学带隙值为1.1580 eV.实验数据为Mg2Si薄膜的研发在制备工艺和光学性质方面提供参考.

以天然矿物为原料， 结合中国紫的分子式及多数考古样品的分析结果进行配料（如或多或少都含有铅）， 对配制并加工好的试样进行热重-差热及变温XRD分析， 以探讨古代烧制中国紫颜料时的原料选用及烧制条件等问题， 为揭示诸如中国紫产生在中国的原因等问题提供依据。 结果表明利用毒重石（BaCO3）配料， 能够较容易地烧制出中国紫， 这意味着中国紫的出现可能与这种独特的含钡矿物资源有关。

采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势平面波方法系统计算了Mg2-xCuxSi(x=0.25)的能带结构、态密度和光学性质。计算结果表明，Mg2-xCuxSi(x=0.25)为p型半导体，Cu的d态电子在价带中起了主导作用，Mg2-xCuxSi(x=0.25)的价带主要由Cu的d态，Si的3p态电子构成；静态介电常量为35.85，折射率为5.99。通过加入Cu原子有效调制了Mg2Si的电子结构，计算结果为Mg2Si光电材料的设计与应用提供了理论依据。

基于第一性原理的赝势平面波方法,对异质外延关系为Ru2Si3 (100)//Si(001),取向关系为Ru2Si3 [010]//Si[110]正交相的Ru2Si3平衡体系下能带结构、态密度和光学性质等进行了理论计算。计算结果表明：当1.087 nm≤a≤1.099 nm时,正交相Ru2Si3的带隙值随着晶格常数a取值的增大而增大。当a取值为1.093 nm时,体系处于稳定状态,此时Ru2Si3是具有带隙值为0.773 eV的直接带隙半导体。Ru2Si3价带主要是由Si的3p,3s态电子及Ru 4d态电子构成[导带主要由Ru的4d及Si的3p态电子构成。外延稳定态及其附近各点处Ru2Si3介电函数的实部和虚部变化趋势基本一致,但外延稳定态Ru2Si3介电函数的曲线相对往低能区漂移,出现的介电峰减少且峰的强度明显增强。