结合伪逆关联成像和迭代去噪关联成像, 提出了关联成像目标重构的伪逆迭代方法.该方法以伪逆关联成像重构结果为初始值, 选取合适的与噪声干扰相关的阈值, 通过迭代运算逼近实际的噪声干扰, 最终抑制噪声并提高重构图像的峰值信噪比.以峰值信噪比和相关系数为衡量标准, 将伪逆迭代关联成像的重构结果与差分关联成像、伪逆关联成像进行对比分析.仿真实验结果表明, 伪逆迭代方法的峰值信噪比较伪逆关联成像方法、差分关联成像方法分别高出约1.0 dB、3.1 dB, 同时其相关系数、视觉效果也有所改善, 验证了该方法的有效性.

测量了高功率976nm InGaAs量子阱半导体激光器在低于1/30阈值电流下的低频电噪声，提出了以1/f噪声时域信号小波系数相关性与电流的关系来分析噪声来源的方法.结合1/f噪声源理论模型及小波变换系数的特性，完成了不同偏置电流下纯1/f噪声、加白噪声后的1/f噪声两种情况下的对比实验.实验结果表明：所测的低频噪声表现为明显的1/f噪声，对于纯1/f噪声，噪声幅度和小波系数相关性在判断噪声来源时具有相同的结果；对于加白噪声后的1/f噪声，噪声幅度变化很大且不能正确表征1/f噪声来源，而部分尺度下的小波系数相关性仍能作为判断噪声来源的可靠参量.

针对基于单波段预测的高光谱图像无损压缩压缩比低的问题, 提出基于上下文窗口中反向搜索的高光谱图像无损压缩算法。首先, 对待测像素设定上下文窗口,计算其预测参考值并进行反向搜索预测得到待测像素的候选预测值。然后, 选取与预测参考值最接近的候选预测值作为待测像素的最终预测结果。最后, 对预测残差图像进行一阶算术编码完成压缩过程。利用提出的算法对AVIRIS 1997高光谱图像进行了实验, 结果显示, 提出的算法通过对上下文窗口、等效系数和有效像素阈值的优化取值, 使反向搜索预测的效果达到最好, 经过算术编码器编码后, 可以得到一个3.63倍的平均压缩比。 该方法具有较低的算法复杂度和内存需求, 优于当前已报道的基于单波段预测的其他各种高光谱图像无损压缩算法。

在归一化关联成像的基础上, 结合压缩感知理论, 提出了基于压缩感知的归一化关联成像方法。该方法首先对物臂的桶探测值进行归一化处理, 并由散斑场构造测量矩阵;然后采用正交匹配追踪算法, 在低测量次数下优质量地还原出了物体的像。实验中采用灰度图像及二值图像作为成像目标, 以峰值信噪比作为衡量标准, 分别对传统关联成像, 归一化关联成像及压缩感知归一化关联成像的重构效果进行了量化对比。仿真实验结果表明, 对于细节较为丰富的灰度图像, 压缩感知归一化关联成像的峰值信噪比较传统方法高6 dB左右, 比归一化关联成像方法提高了2 dB左右;对于细节较少的二值图像, 其峰值信噪比较归一化关联成像法高3.4~4.3 dB, 比传统法高5.2~6.5 dB。最后, 采用实际电荷耦合元件测得的散斑场构造了测量矩阵, 实验结果进一步验证了基于压缩感知的归一化关联成像算法能提高重构质量。

根据室内可见光通信(VLC)的信道传输特性, 建立了一种可见光通信系统的链路模型, 提出了用于VLC系统的间隔多脉冲位置调制(IMPPM)方案。 介绍了IMPPM方案的符号结构, 并将该方案与VLC系统的另外两种调制方式, 脉冲位置调制(PPM)和多脉冲位置调制(multi-PPM, MPPM)在带宽、功率需求, 比特误差率(BER)等方面进行了比较。结果显示: MPPM和IMPPM在信源(M)为3, 4, 5 bit时的带宽需求和功率需求取得了比较好的平衡。当BER达到10-3时, IMPPM接收的光功率比PPM低4 dB, 比MPPM低2 dB; 由于IMPPM中相邻两脉冲有时间间隔, 所以, 其BER性能要优于MPPM。IMPPM用于可见光通信时, 其功率需求低于MPPM, 抗多径及码间干扰的能力优于PPM和MPPM。

根据微腔原理运用传输矩阵法对构成微腔有机电致发光器件(MOLED)谐振腔的两个反射镜进行模拟计算并比较, 可观察到：随金属反射镜的反射率增大, 微腔器件的电致发光(PL)谱的半峰全宽(FWHM)逐渐窄化; 峰值逐渐蓝移至设计的谐振峰值520 nm处; 峰值强度和光谱积分强度逐渐增强。结果表明：金属反射镜反射率越大越好。随DBR反射镜的周期数从1增加到9, EL的峰值均为 520 nm, 半峰全宽逐渐窄化, 积分强度逐渐减弱; 峰值强度由弱增强再减弱, 4个周期时峰值强度最大, 所以设计微腔器件时, DBR的周期是一项很重要的参数。DBR反射率太大不利于出光, 太小微腔效应小。需要根据制作目的和需要进行合理选择。

高功率阵列半导体激光器已得到广泛应用,对其质量和可靠性进行无损检测很有必要。在导数测试技术中,参数h是电导数曲线阈值处的下沉高度,参数Q是二阶光导数曲线阈值处的峰的高宽比。对导数测试参数h,Q与阵列激光器的单元器件的质量和均匀性进行了研究。基于其等效电路在一定条件下,计算了阵列激光器的均匀性对h的影响。并对实际阵列器件进行了导数测试。理论和实验结果对比表明,h,Q等参数是组成阵列的各管芯的均匀性的灵敏参数。

为实现对高功率半导体激光器快速、有效、无损的质量检测和可靠性筛选,对器件进行了电导数和光导数测试及分析。结果表明高功率半导体激光器的结电压饱和特性与其质量和可靠性紧密相关。结电压饱和特性不好的器件一般都存在某种缺陷,结电压饱和特性的差异超出一定范围的同种类器件一定是质量和可靠性差的器件。因此,阈值处电导数曲线的下沉高度h值可作为器件筛选的一个判据。用模拟测量的方法,对阵列器件和组成它的单元器件的电压饱和特性的相关性进行了研究,阵列器件的电压饱和特性与组成它的单元器件的一致性(均匀性)紧密相关。均匀性不好的器件的电压饱和特性也不好。

对大功率InGaAsP/GaAs量子阱(QW)半导体激光器(LD)的直流(DC)特性和小注入下的低频噪声(LFN)特性进行了实验研究。DC检测发现,V-I和IdV/dI-I可以对LD的电流泄漏作出判断。LFN检测发现,小注入下的1/f低频电压噪声幅值BV(I)∝IβV。理论分析和老化实验均表明,电流指数βV与载流子输运和电流泄漏机制之间有很好的相关性,存在电流泄漏和无辐射复合的器件其βV较小,可靠性较差。

利用NI公司的PCI-6014数据采集卡,设计了程控半导体激光器驱动器,介绍了驱动器软硬件的设计方法.该驱动电源具有硬件电路简单,稳定度高,线性度好、软件操作方便等优点,同时增加了实时监控半导体激光器的驱动电流和测量其I～V特性的功能.给出了详细的测试数据,测试结果证明,该驱动电源具有具体的指标和良好的性能.