1 集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学实验区 吉林大学电子科学与工程学院, 吉林 长春130012
2 中国科学院长春应用化学研究所 高分子物理与化学国家重点实验室, 吉林 长春130022
3 中国科学院 激发态物理重点实验室 长春光学精密机械与物理研究所, 吉林 长春130033
在真空室内一次性制备了具有多层栅介质层结构的有机薄膜晶体管(OTFTs)。结果表明, 制备的OTFTs具有电控开关、存储和光敏多重功能特性。分析认为, 存储特性归功于器件的结构, 采用了分离的CaF2纳米粒子岛作为电荷俘获中心。在光照环境下, 观察到了两种不同类型的光响应特性。快速的光响应来自于有源层吸收了能量大于带隙的光子所产生的可移动的电荷, 慢的光响应归因于电场作用下光感应的电子在栅介质陷阱的俘获与释放。
有机薄膜晶体管 存储效应 光响应 organic thin film transistor memory effect photo-responses
吉林大学 电子科学与工程学院集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学实验区,吉林 长春 130012
高功率阵列半导体激光器已得到广泛应用,对其质量和可靠性进行无损检测很有必要。在导数测试技术中,参数h是电导数曲线阈值处的下沉高度,参数Q是二阶光导数曲线阈值处的峰的高宽比。对导数测试参数h,Q与阵列激光器的单元器件的质量和均匀性进行了研究。基于其等效电路在一定条件下,计算了阵列激光器的均匀性对h的影响。并对实际阵列器件进行了导数测试。理论和实验结果对比表明,h,Q等参数是组成阵列的各管芯的均匀性的灵敏参数。
激光器 阵列半导体激光器 可靠性检测 导数技术
吉林大学电子科学与工程学院,集成光电子国家重点实验室吉林大学实验区, 吉林 长春 130012
为实现对高功率半导体激光器快速、有效、无损的质量检测和可靠性筛选,对器件进行了电导数和光导数测试及分析。结果表明高功率半导体激光器的结电压饱和特性与其质量和可靠性紧密相关。结电压饱和特性不好的器件一般都存在某种缺陷,结电压饱和特性的差异超出一定范围的同种类器件一定是质量和可靠性差的器件。因此,阈值处电导数曲线的下沉高度h值可作为器件筛选的一个判据。用模拟测量的方法,对阵列器件和组成它的单元器件的电压饱和特性的相关性进行了研究,阵列器件的电压饱和特性与组成它的单元器件的一致性(均匀性)紧密相关。均匀性不好的器件的电压饱和特性也不好。
激光器 可靠性检测 导数技术 高功率半导体激光器
1 吉林大学电子科学与工程学院集成光电子学国家重点联合实验室,吉林 长春 130012
2 中国科学院长春应用化学研究所高分子物理与化学国家重点实验室,吉林 长春130022
用有机半导体并五苯作为有源层,聚四氟乙烯作为绝缘层,采用全蒸镀方式在真空室一次性制备了正装结构的有机薄膜场效应晶体管(OTFT)。薄的有机绝缘层使得器件工作在低电压下,有机薄膜场效应晶体管易于与显示像素(有机发光二极管(OLED))集成在同一个透明的刚性或者柔性衬底上。研究了有机薄膜场效应晶体管的源漏接触电阻和沟道电阻对器件性能的影响,结果表明接触电阻是影响器件性能的主要因素。在透明的玻璃衬底上实现了有机薄膜场效应晶体管对同一衬底上100 μm×200 μm红色有机发光二极管的驱动。
光电子学 并五苯 有机薄膜场效应晶体管 源漏接触电阻 全蒸镀制备
1 吉林大学电子科学与工程学院集成光电子学国家重点联合实验室, 吉林 长春 130023
2 东北师范大学广播电视学院,吉林 长春 130117
应用小波变换奇异性检测原理,对近百只半导体激光器(LD)输出I-V特性进行小波变换,通过不同尺度下的变换系数,能够真实、准确地测量和计算半导体激光器的阈值电流以及与可靠性相关的一些参数,模极大值WM2j,结特征参量m等。利用这些计算和测量参数,可以直观地比较和判别出半导体激光器的性能优劣及可靠性,与电导数法相结合,可方便、准确、快捷地对器件性能和可靠性进行评估筛选。理论与实验表明,利用小波变换进行半导体激光器的可靠性分析与传统方法相比具有独到之处。
激光技术 可靠性 半导体激光器 小波变换 奇异性检测
1 吉林大学电子工程系, 长春 130023
2 长春光学精密机械学院高功率半导体激光国家重点实验室, 长春 130022
分析了影响列阵半导体激光器输出功率的因素。利用分子束外延生长法生长出GaAlAs/GaAs梯度折射率分别限制单量子阱材料(GRIN-SCH-SQW)。利用该材料制作出的列阵半导体激光器输出功率达到10 W(室温,连续),峰值波长为806～809 nm。
分子束外延 量子阱 列阵 半导体激光器
1 吉林大学电子工程系,集成光电子国家重点实验室吉林大学实验区, 长春 130023
2 中国科学院半导体所集成光电子国家重点实验室科学院半导体所实验区, 北京 100084
对氧化物条型GaAs/GaAlAs大功率量子阱激光器的电导数曲线及其参数与器件可靠性之间的相关性进行了讨论，指出m,h,b参数可以评价器件质量和可靠性。实验结果表明电导数测试是大功率半导体激光器快速筛选的新方法。
半导体激光器 可靠性 筛选
吉林大学电子工程系集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学实验区, 长春130023
给出了研制的1.3 μm InGaAsP/InP超辐射发光二极管的低频光噪声和电噪声及其相关性的实验结果。结合电导数、光导数及光谱测试进行了分析和讨论。结果表明,超辐射发光二极管的低频光噪声和电噪声有相关性,其噪声大小与器件材料质量、结构参数及工作条件密切相关。
超辐射发光二极管 光噪声 电噪声
1 集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学分区, 长春 130023
2 吉林工业大学, 长春 130021
本文给出了半导体激光器的低频电噪声谱密度和器件可靠性关系的实验结果。
激光器 噪声 可靠性
