1 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室, 北京 100083
2 中国科学院大学材料科学与光电技术学院, 北京 100049
详细研究了n型AlGaN限制层与InGaN上波导对GaN基绿光激光器光场分布与电学特性的影响,结果表明:增加n型AlGaN限制层厚度或提高InGaN上波导中的铟组分可以明显抑制GaN基绿光激光器的光场泄漏,改善光场分布;相比In0.02Ga0.98N上波导,采用更高铟组分的In0.05Ga0.95N上波导可增加光场限制因子,改善绿光激光器的性能。综合调控n型限制层和上波导才能有效改善GaN基绿光激光器的光场分布,提高激光器的性能。
激光光学 氮化镓 绿光激光器 光场分布
1 中国科学院半导体研究所 集成光电子学国家重点实验室, 北京 100083
2 中国科学院大学 材料科学与光电技术学院, 北京 100049
3 中国科学院大学 材料科学与光电工程中心, 北京 100049
介绍了GaN基pin雪崩探测器的制作过程和测试结果。制作的器件在71 V反向偏压下发生雪崩, 倍增因子达到5×104。我们发现, p层载流子浓度是影响器件性能的重要参数。结合电场强度分布的分析, 本文提出了一种估算p层载流子浓度的方法, 进一步计算得到刚好雪崩击穿时的最大电场值为2.6 MV/cm, 与以往GaN雪崩器件所报道的研究结果相似。最后, 霍尔测试和SIMS测量p层载流子浓度的结果与模型计算的估算值吻合。
氮化镓 雪崩探测器 泊松方程 GaN avalanche detector Poisson equation
1 吉林大学电子工程系,吉林,长春,130023
2 中国科学院半导体所,北京,100083
研制了适于InGaAsP光放大器偏振不灵敏的增益介质,采用有源区内交替的张应变和压应变排列的混合应变量子阱结构,器件做成带有倾角的扇形。实验中发现该结构既抑制了激射又改善了器件的偏振灵敏性,实现了偏振灵敏度小于0.5 dB,100 mA偏置时可达0.1 dB。在较大的电流范围内,峰的半高全宽(FWHM)为40 nm。
物理光学 张应变阱 压应变阱 偏振不灵敏 增益介质
1 吉林大学电子工程系,集成光电子国家重点实验室吉林大学实验区, 长春 130023
2 中国科学院半导体所集成光电子国家重点实验室科学院半导体所实验区, 北京 100084
对氧化物条型GaAs/GaAlAs大功率量子阱激光器的电导数曲线及其参数与器件可靠性之间的相关性进行了讨论，指出m,h,b参数可以评价器件质量和可靠性。实验结果表明电导数测试是大功率半导体激光器快速筛选的新方法。
半导体激光器 可靠性 筛选
