1 长春理工大学 光电信息学院, 长春 130114
2 吉林大学 电子科学与工程学院 集成光电子学国家重点实验室, 长春 130012
工作在中长波的红外探测器可被广泛应用在空间成像、**和通信等领域, 锑基InAsSb材料由于其特殊的性质是制作长波非致冷光子探测器的理想材料。俄歇复合寿命是影响探测器性能的重要因素之一, 文章采用Matlab软件模拟研究了n型和p型InAsxSb1-x材料的俄歇复合寿命随温度、As组分及载流子浓度的变化。对确定的As组分, 可通过优化工作温度及载流子浓度获得较长的俄歇复合寿命。当载流子浓度为3.2×1015cm-3、温度为200K时, n型InAs0.35Sb0.65的俄歇复合寿命最大为2.91×10-9s。
俄歇复合寿命 As组分 温度 载流子浓度 InAsSb InAsSb Auger recombination lifetime As composition temperature carrier concentration
集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学实验区，吉林大学 电子科学与工程学院， 长春 130012
大多数OLED都用ITO做阳极，为了提高ITO的功函数、改善ITO表面的平整度和减少C的污染，通常要在生长有机材料前对ITO表面进行处理。介绍了目前用等离子体对OLED阳极进行处理的研究现状，给出了Ar、O2、H2、N2、N2O和CF4等离子体处理ITO后对平整度、功函数、接触角和OLED特性等的影响，在他人研究基础上得出结论：用等离子体对OLED阳极进行处理其器件特性不仅与处理ITO表面的气体种类有关，也与产生等离子体的条件有关。采用正交试验方法可优化等离子体处理工艺参数，获得高性能的OLED。
等离子体 接触角 平整度 功函数 indium tin oxide ITO plasma contact angle smoothness work function
1 吉林大学电子工程系,吉林,长春,130023
2 中国科学院半导体所,北京,100083
研制了适于InGaAsP光放大器偏振不灵敏的增益介质,采用有源区内交替的张应变和压应变排列的混合应变量子阱结构,器件做成带有倾角的扇形。实验中发现该结构既抑制了激射又改善了器件的偏振灵敏性,实现了偏振灵敏度小于0.5 dB,100 mA偏置时可达0.1 dB。在较大的电流范围内,峰的半高全宽(FWHM)为40 nm。
物理光学 张应变阱 压应变阱 偏振不灵敏 增益介质
吉林大学电子工程系集成光电子学国家重点联合实验室 长春 130023
为提高半导体超辐射器件的输出功率，在原有的将超辐射发光管(SLD)与半导体光放大器(SOA)单片集成的基础上，将器件电流注入区中心轴线倾斜6°，制得了1.5μm倾斜结构的InGaAsP/InP集成超辐射光源。发现这种新型结构的单片集成器件具有抑制激射的功能。在较低的电流注入下，得到了38mW的脉冲超辐射输出功率。其光谱宽度(FWHM)和平行、垂直于结平面的远场半宽分别为16nm，15°和64°。同时，通过对该集成器件特性的研究，发现如何增加SOA部分的入射光功率是提高该集成器件性能的一个十分关键的因素。
超辐射发光管 半导体光放大器 单片集成 光谱分割 多波长光源
吉林大学电子工程系,集成光电子学国家重点联合实验室 长春 130023
为提高半导体超辐射器件的输出功率，采用直接耦合的方法，将超辐射发光管(SLD)与半导体光放大器(SOA)单片集成，制得了1.3 μm超辐射集成光源，其脉冲输出功率为50 mW，光谱宽度(FWHM)为28.9 nm。通过对放大器增益特性的讨论，得出了既能稳定器件性能，又可以提高输出功率的有效工作方案。
超辐射发光管 半导体光放大器 单片集成
通过理论分析和实验结果,叙述了在宽带单脉冲相干反斯托克斯拉曼散射(CARS)光谱测温技术中,利用光参量振荡器(OPO)代替常用的染料激光器作为斯托克斯光源的可行性问题。理论分析指出,测温范围在2200 K以内,用OPO作斯托克斯光源是可行的,并利用该实验装置实测酒精灯火焰中的温度分布,其结果与辐射温度计测量结果比较,误差在5%以内。
CARS测温技术 光参量振荡器 染料激光器
